[发明专利]倒装发光二极管及发光装置有效
申请号: | 202110782179.0 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN113659061B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 陈大钟;徐瑾;刘士伟;石保军;王水杰;刘可;王强;张中英;黄文嘉;邓有财 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 王立红 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 发光二极管 发光 装置 | ||
本申请公开了一种倒装发光二极管及发光装置,该倒装发光二极管包括半导体堆叠层、第一焊盘和第二焊盘;半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层;第一焊盘或者第二焊盘设有缝隙,缝隙将第一焊盘或者第二焊盘划分成多个子焊盘。本申请将第一焊盘或者第二焊盘设置成具有缝隙的结构,在第一焊盘或者第二焊盘产生应力时,能够通过缝隙释放对应焊盘所产生的应力,避免对应焊盘在冷热环境转换过程中因应力较大而脱落,提高倒装发光二极管的可靠性。
技术领域
本申请涉及发光二极管相关技术领域,尤其涉及一种倒装发光二极管及发光装置。
背景技术
倒装发光二极管由于发光效率高、节能、环保、寿命长的特点,广泛应用于各个领域,例如照明、背光。现有倒装发光二极管采用Au-Sn共晶焊技术固晶,具体为借助低温助焊剂将倒装发光二极管中的金属焊盘预贴合在刷有锡膏的封装支架上,再通过回流焊将倒装发光二极管与封装支架结合。
然而随着倒装发光二极管进入高端应用市场,特别的是背光应用或者显示屏应用对倒装发光二极管的可靠性要求越来越高,对应于检测条件越来越严苛,特别的是温度很低或者温度很高的极限环境。由于金属焊盘的热膨胀系数与其一侧所连接绝缘层的热膨胀系数具有较大差异,则当倒装发光二极管处于冷热环境转换过程时,上述所存在的热膨胀系数差异易导致金属焊盘产生较大应力,进而出现金属焊盘因应力较大而脱落的现象,导致倒装发光二极管失效,影响倒装发光二极管的可靠性。
发明内容
本申请的目的在于提供一种倒装发光二极管,其能够通过焊盘中的缝隙释放焊盘所产生的应力,避免焊盘在冷热环境转换过程中因应力较大而脱落,并提高倒装发光二极管的可靠性。
另一目的还在于提供一种发光装置,该发光装置包括上述倒装发光二极管。
第一方面,本申请实施例提供了一种倒装发光二极管,包括半导体堆叠层、第一焊盘和第二焊盘;半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层;第一焊盘或者第二焊盘设有缝隙,缝隙将第一焊盘或者第二焊盘划分成多个子焊盘。
在一种可能的实施方案中,缝隙将第一焊盘或者第二焊盘划分成多个完全分离的子焊盘。
在一种可能的实施方案中,包括桥接部,用于将相邻子焊盘之间局部相连,桥接部的一侧或者两侧包括有缝隙。
在一种可能的实施方案中,缝隙的数量为1,或者缝隙的数量为2以上。
在一种可能的实施方案中,缝隙的宽度至少为2微米,且缝隙的宽度至多为35微米。
在一种可能的实施方案中,缝隙为环形或者条形。
在一种可能的实施方案中,倒装发光二极管还包括绝缘层,绝缘层覆盖半导体堆叠层,且第一焊盘和第二焊盘位于绝缘层上;绝缘层分别开设有与第一焊盘、第二焊盘对应的开口,第一焊盘填充对应开口并与第一类型半导体层连接,第二焊盘填充对应开口并与第二类型半导体层连接。
在一种可能的实施方案中,缝隙避开绝缘层中的开口,并位于绝缘层表面上。
在一种可能的实施方案中,部分数量的子焊盘具有填充绝缘层中开口的部分;或者,每一子焊盘均具有填充绝缘层中开口的部分。
在一种可能的实施方案中,绝缘层包括分布式布拉格反射镜。
在一种可能的实施方案中,倒装发光二极管还包括衬底,半导体堆叠层位于衬底上,半导体堆叠层被划分成多个通过沟槽间隔设置的子芯片,相邻子芯片之间通过互连电极连接。
在一种可能的实施方案中,其中一个子芯片上包括第一类型半导体层的部分表面未被有源层覆盖而形成的台面,以及位于有源层上的第二类型半导体层,第二类型半导体层上设有与其电性连接的指状金属电极,指状金属电极上设有第二焊盘,指状金属电极延伸不超过第二焊盘的下方。
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