[发明专利]倒装发光二极管及发光装置

权利要求书

1.一种倒装发光二极管，包括半导体堆叠层、第一焊盘和第二焊盘；所述半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；

其特征在于，所述第一焊盘或者第二焊盘设有缝隙，所述缝隙将所述第一焊盘或者第二焊盘划分成多个子焊盘，所述缝隙的宽度至少为2微米，至多为35微米，第一电极和第二电极，第一电极位于第一类型半导体层上并与第一类型半导体层电性连接，第二电极位于第二类型半导体层上并与第二类型半导体层电性连接，所述第二电极为指状金属电极；

电流阻挡层和透明导电层，所述电流阻挡层形成在第二类型半导体层的表面上，所述透明导电层覆盖在所述电流阻挡层和所述第二类型半导体层的上面；

所述第二电极位于所述透明导电层上，并且所述第二电极与所述透明导电层接触；

绝缘层，覆盖在半导体堆叠层、透明导电层、第一电极和第二电极上；

第一焊盘和第二焊盘且第一焊盘和第二焊盘位于所述绝缘层上，并且接触所述绝缘层；

绝缘层分别开设有与第一焊盘和第二焊盘对应的开口，第一焊盘具有填充与其对应的绝缘层的开口的部分并与第一类型半导体层电性连接第一电极接触，第二焊盘具有填充与其对应的绝缘层的开口的部分并与第二类型半导体层电性连接第二电极接触；第一焊盘和第二焊盘由下至上可包括黏附层、反射层、共晶层以及保护层，其中共晶层为Ni层，或者共晶层为Ni层与Pt层的组合，或者共晶层为Ni层与Sn层的组合；

所述的绝缘层为布拉格反射镜层，所述绝缘层以交替层叠成多层的方式形成，且所述绝缘层的材料为SiO₂、TiO₂、ZnO₂、ZrO₂、Cu₂O₃中不同材料中的至少两种。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述缝隙将所述第一焊盘或者第二焊盘划分成多个完全分离的子焊盘。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，包括桥接部，用于将相邻所述子焊盘之间局部相连，所述桥接部的一侧或者两侧包括有所述缝隙。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述缝隙的数量为1，或者所述缝隙的数量为2以上。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述缝隙为环形或者条形。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述缝隙避开所述绝缘层中的开口，并位于所述绝缘层表面上。

7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，部分数量的所述子焊盘具有填充所述绝缘层中开口的部分；或者，每一所述子焊盘均具有填充所述绝缘层中开口的部分。

8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括衬底，所述半导体堆叠层位于所述衬底上，所述半导体堆叠层被划分成多个通过沟槽间隔设置的子芯片，相邻所述子芯片之间通过互连电极连接。

9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于，其中一个子芯片上包括所述第一类型半导体层的部分表面未被有源层覆盖而形成的台面，以及位于有源层上的所述第二类型半导体层，所述第二类型半导体层上设有与其电性连接的指状金属电极，所述指状金属电极上设有所述第二焊盘，所述指状金属电极延伸不超过所述第二焊盘的下方。

10.根据权利要求9所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一焊盘位于另外一个子芯片上。

11.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述子芯片仅有两个。

12.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一焊盘和第二焊盘均设有所述缝隙。