[发明专利]一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统

说明书

本发明公开了一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统，方法包括：判断NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流，若是，则：基于擦除电压对NorFlash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的NorFlash芯片的电流大于目标电流；基于编程初始电压对NorFlash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的NorFlash芯片的第一电流；计算第一电流与目标电流的第一差值；判断第一差值是否大于预设值，若是，则基于第一编程电压对NorFlash芯片进行编程操作，若否，则：基于第二编程电压对NorFlash芯片进行编程操作。本发明能够根据NorFlash芯片不同的电流值，灵活采用不同的调节方式，有效减少了操作次数，提高了效率，降低了成本。

技术领域

本发明涉及NorFlash芯片调节技术领域，尤其涉及一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统。

背景技术

NorFlash芯片参考电流是作为一个参照物来决定其输出和输入逻辑判断的，理论上不随外部因素改变，是一个重要的基准。由于芯片的参考电流最开始处于一种初始状态，不同于所需要的目标电流，所以需要对参考电流进行调节。

芯片参考电流的调节主要通过编程和擦除两种方式完成，编程和擦除速度主要是由高压的大小和高压的时间来确定。

芯片需要进行多次编程和擦除操作将参考电流调节到目标值，当编程和擦除操作设置的高压大小和高压时间不合适时，会导致参考电流进行调节时执行编程和擦除的次数过多，使得调节时间增加，成本变高。

因此，在对NorFlash芯片参考电流进行调节时，如何有效减少操作次数，提高效率、降低成本，是一项亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种NorFlash芯片参考电流调节方法，能够有效的减少操作次数，提高效率、降低成本。

本发明提供了一种NorFlash芯片参考电流调节方法，包括：

判断所述NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流，若是，则：

基于擦除电压对所述NorFlash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的所述NorFlash芯片的电流大于所述目标电流；

基于编程初始电压对所述NorFlash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的所述NorFlash芯片的第一电流；

计算所述第一电流与所述目标电流的第一差值；

判断所述第一差值是否大于预设值，若是，则基于第一编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作，若否，则：

基于第二编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作。

优选地，所述方法还包括：

当所述NorFlash芯片的初始电流大于所述目标电流时，基于所述编程初始电压对所述NorFlash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的所述NorFlash芯片的第二电流；

计算所述第二电流与所述目标电流的第二差值；

判断所述第二差值是否大于所述预设值，若是，则基于第三编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作，若否，则：

基于第四编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作。

优选地，所述擦除电压基于公式y1＝a1(x1-1)+b1确定，其中，y1为擦除电压，a1为第一参数值，x1为擦除次数，b1为起始电压；

所述编程初始电压基于公式y2＝a2x2+b2，其中，y2为编程初始电压，a2为第二参数值，x2为目标电流，b2为第三参数值。