[发明专利]一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统在审
申请号: | 202110782002.0 | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN113380306A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 边雅倩;杨柳;王志刚 | 申请(专利权)人: | 珠海深圳清华大学研究院创新中心 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C16/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 钱娜 |
地址: | 519080 广东省珠海市唐*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 norflash 芯片 参考 电流 调节 方法 系统 | ||
1.一种NorFlash芯片参考电流调节方法,其特征在于,包括:
判断所述NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流,若是,则:
基于擦除电压对所述NorFlash芯片进行擦除操作,直至经过擦除操作后的所述NorFlash芯片的电流大于所述目标电流;
基于编程初始电压对所述NorFlash芯片进行进行编程操作,得到经过初次编程操作后的所述NorFlash芯片的第一电流;
计算所述第一电流与所述目标电流的第一差值;
判断所述第一差值是否大于预设值,若是,则基于第一编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作,若否,则:
基于第二编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
当所述NorFlash芯片的初始电流大于所述目标电流时,基于所述编程初始电压对所述NorFlash芯片进行进行编程操作,得到经过初次编程操作后的所述NorFlash芯片的第二电流;
计算所述第二电流与所述目标电流的第二差值;
判断所述第二差值是否大于所述预设值,若是,则基于第三编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作,若否,则:
基于第四编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述擦除电压基于公式y1=a1(x1-1)+b1确定,其中,y1为擦除电压,a1为第一参数值,x1为擦除次数,b1为起始电压;
所述编程初始电压基于公式y2=a2x2+b2,其中,y2为编程初始电压,a2为第二参数值,x2为目标电流,b2为第三参数值。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一编程电压基于公式y3=c1*第一差值+y0确定,其中,c1为第一步进值,y0为上一次编程的电压;
所述第二编程电压基于公式y4=c2*第一差值+y0确定,其中,c2为第二步进值,y0为上一次编程的电压,其中,c1>c2。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第三编程电压基于公式y5=c1*第二差值+y0确定,其中,c1为第一步进值,y0为上一次编程的电压;
所述第四编程电压基于公式y6=c2*第二差值+y0确定,其中,c2为第二步进值,y0为上一次编程的电压,其中,c1>c2。
6.一种NorFlash芯片参考电流调节系统,其特征在于,包括:
第一判断模块,用于判断所述NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流;
擦除模块,用于当所述NorFlash芯片的初始电流小于目标电流时,基于擦除电压对所述NorFlash芯片进行擦除操作,直至经过擦除操作后的所述NorFlash芯片的电流大于所述目标电流;
编程模块,用于基于编程初始电压对所述NorFlash芯片进行进行编程操作,得到经过初次编程操作后的所述NorFlash芯片的第一电流;
第一计算模块,用于计算所述第一电流与所述目标电流的第一差值;
第二判断模块,用于判断所述第一差值是否大于预设值;
所述编程模块,还用于当所述第一差值大于预设值时,基于第一编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作;
所述编程模块,还用于当所述第一差值小于预设值时,基于第二编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作。
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