[发明专利]高集成度相变存储器阵列结构

权利要求书

1.高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于，

包括单元；单元包括芯骨，芯骨的相对两面或周向四面外均依次设置有相变材料层、沟道层、多晶硅层、门电极；数个单元通过三维堆叠成n×n×n的阵列结构，高度方向上相互堆叠的n个单元构成一条存储器链；

还包括选通电路，位于存储器链底端的单元与选通电路连接；选通电路包括芯骨，芯骨外依次设置有沟道层、多晶硅层、门电极；选通电路的芯骨、沟道层、多晶硅层均为存储器链底端的单元沿其高度方向向下延伸而成；选通电路的门电极与其对应单元的门电极结构相同；

还包括二极管选通器、位线、电极与字线；选通电路的底端与二极管选通器连接，二极管选通器与字线连接；位于存储器链顶端单元的沟道层与电极连接，电极与位线连接。

2.根据权利要求1所述的高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于：选通电路的芯骨厚度为其对应单元的芯骨厚度与相变材料层厚度之和。

3.根据权利要求1或2所述的高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于：相变材料层、沟道层、多晶硅层的高度均与芯骨高度相等，门电极位于多晶硅层高度的中间位置。

4.根据权利要求1所述的高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于：芯骨周向四面的门电极包围成周状。

5.根据权利要求1所述的高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于：芯骨、相变材料层、沟道层、多晶硅层、门电极均为长方体状。

6.根据权利要求1所述的高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于：芯骨、沟道层、多晶硅层、门电极均为长方体状；相变材料层为中部尺寸小于两端尺寸的哑铃状。

7.根据权利要求1所述的高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于：数个单元通过三维堆叠成3×3×3的阵列结构。

8.根据权利要求1所述的高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于：二极管选通器包括在高度方向上相互叠加的第一掺杂半导体、第二掺杂半导体以及、第三掺杂半导体，第一掺杂半导体、第二掺杂半导体以及、第三掺杂半导体结构与尺寸均相同，第一掺杂半导体与存储器链底端连接，第三掺杂半导体与字线连接。

9.根据权利要求1所述的高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于：位线与字线均为长方体状。