[发明专利]用于传输基板的装置、和用于处理基板的装置和方法在审
| 申请号: | 202110778129.5 | 申请日: | 2021-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN113921433A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 郑镇优;李龙熙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 侯志源 |
| 地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 传输 装置 处理 方法 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
第一工艺腔室,所述第一工艺腔室配置为对所述基板执行液体处理工艺;
第二工艺腔室,所述第二工艺腔室配置为对在所述第一工艺腔室中液体处理的所述基板执行干燥处理工艺;
第一手部,所述第一手部配置为在执行所述液体处理工艺之前、将所述基板引入至所述第一工艺腔室;
第二手部,所述第二手部配置为在执行所述液体处理工艺之后、将所述基板从所述第一工艺腔室取出并将所述基板引入到所述第二工艺腔室中;
第三手部,所述第三手部配置为在执行所述干燥处理工艺之后、将所述基板从第二工艺腔室取出;和
控制器,所述控制器配置为控制所述第一手部、所述第二手部和所述第三手部,
其中,所述控制器配置为:
控制所述第二手部以比通过所述第一手部或所述第三手部传输所述基板的速度低的速度传输所述基板。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一手部、所述第二手部和所述第三手部被提供至一个基板传输装置的主体。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第二工艺腔室是高压腔室、以通过使用超临界流体或异丙醇IPA对在所述第一工艺腔室中液体处理的所述基板执行干燥处理工艺。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第二手部将具有在所述第一工艺腔室中涂覆有润湿溶液的表面的所述基板传输至所述第二工艺腔室。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述润湿溶液包括挥发性有机溶剂,纯水,表面活性剂、挥发性有机溶剂和纯水的混合物,或者表面活性剂和纯水的混合物。
6.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第三手部、所述第一手部和所述第二手部在所述主体上、在竖直方向上设置在不同的高度处。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第一手部设置在所述第二手部的上方。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述第三手部设置在所述第一手部的上方。
9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一手部和所述第三手部设置在第一基板传输装置中,并且
其中,所述第二手部设置在第二基板传输装置中。
10.一种用于传输基板的装置,所述装置包括:
主体;
第一手部,所述第一手部设置在所述主体上;
第二手部,所述第二手部设置在所述主体上;
第三手部,所述第三手部设置在所述主体上;以及
控制器,所述控制器配置为控制所述第一手部至所述第三手部的驱动,
其中,所述控制器配置为:
在执行液体处理工艺之前,控制所述第一手部以传输所述基板,
控制所述第三手部以传输干燥的所述基板,并且
控制所述第二手部以传输具有涂覆有润湿溶液的表面的所述基板。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述控制器配置为:
控制所述第二手部以比通过所述第一手部或所述第三手部传输所述基板的速度低的速度传输基板。
12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述第一手部、所述第二手部和所述第三手部在所述主体上、在竖直方向上设置在不同的高度处。
13.根据权利要求11所述的装置,其中,所述第一手部设置在所述第二手部的上方,并且
其中,所述第一手部设置在所述第三手部的下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





