[发明专利]用于预固定衬底的方法和装置在审
申请号: | 202110777000.2 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN113410128A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | F.P.林德纳 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/3205;H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;刘春元 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 固定 衬底 方法 装置 | ||
1.用于预固定衬底(1、2)的方法,其中在至少一个表面区域中非晶化所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面(1o、2o),其特征在于,所述衬底(1、2)被定向且接着在所述非晶化的表面区域处接触并且预固定。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在第一模块室中,特别是在小于1 bar、优选地小于1 mbar、还更优选地小于10 e-5 mbar、还更优选地小于10 e-6 mbar、还更优选地小于10 e-7 mbar、还更优选地小于10 e-8 mbar的压力下进行所述定向和所述预固定。
3.根据上述权利要求之一所述的方法,其中以小于100 μm、特别是小于10 μm、优选地小于1 μm、还更优选地小于100 nm、最优选地小于10 nm的定向准确度进行所述定向。
4.根据上述权利要求之一所述的方法,其中所述预固定具有介于0.01 J/m2与5 J/m2之间、优选地大于0.1 J/m2、更优选地大于0.2 J/m2、还更优选地大于0.5 J/m2、最优选地大于1 J/m2、极致最优选地大于1.5 J/m2的结合强度。
5.根据上述权利要求之一所述的方法,其中所述预固定通过特别是对背对待接触的衬底表面(1o、2o)的一侧的局部能量输入来进行。
6.根据上述权利要求之一所述的方法,其中所述衬底表面(1o、2o)的至少一个、优选地全部具有小于20 nm的平均粗糙度Ra,更优选地小于1 nm的平均粗糙度Ra。
7.用于将根据前述权利要求之一预固定的衬底(1、2)在衬底表面(1o、2o)处永久接合的方法。
8.根据权利要求7所述的方法,其中在特别是通过闸与第一模块室连接的第二模块室中进行所述接合。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其中经预固定的衬底(1、2)的输送用机械臂进行且在没有用于支撑所述经预固定的衬底(1、2)的容纳装置的情况下进行。
10.用于预固定衬底(1、2)的装置,具有:
- 至少一个预处理装置,其用于在至少一个表面区域中预处理所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面(1o、2o),
- 定向装置,其用于定向所述衬底(1、2),和
- 布置在定向装置下游的预固定装置,其用于使所述经定向的衬底(1、2)在所述经预处理、特别是经非晶化的表面区域处接触并且预固定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造