[发明专利]栅极间隔物图案化

说明书

本申请涉及栅极间隔物图案化，具体地，涉及一种用于在形成FinFET结构时保护栅极间隔物的方法(100)，所述方法包括：提供(110)鳍片(1)，其具有至少一个与鳍片(1)交叉的伪栅极(2)，其中栅极硬掩模(3)存在于伪栅极(2)的顶部；提供(120)栅极间隔物(4)以使得其覆盖伪栅极(2)和栅极硬掩模(3)；凹陷(140)栅极间隔物(4)以使得至少部分栅极硬掩模(3)被暴露出来；通过区域选择性沉积，在暴露的部分栅极硬掩模(3)上选择性地生长(150)额外封盖材料(5)。

发明领域

本发明涉及栅极间隔物图案化领域。更具体地说，其涉及一种当形成鳍型场效应晶体管(FinFET)结构时保护栅极间隔物的方法。

发明背景

在FinFET装置的背景下，例如互补FET(CFET)FinFET装置，具有高鳍片高度(例如50nm)的栅极间隔物图案化成为一个具有挑战性的过程。特别是在将栅极间隔物向下凹入到鳍片底部时成为问题。随着鳍片高度的增加，需要凹入底部的栅极间隔物的量也在增加。特别是当鳍片高度为50nm或更高时，这会增加栅极间隔物凹入后出现伪栅极暴露(例如，多晶硅)的风险。当凹入步骤之后是外延生长步骤时，这将导致暴露的伪栅极上的寄生外延生长，这对进一步的处理步骤具有不利影响。

栅极间隔物可以是例如低-k SiCO间隔物，伪栅极可以是例如多晶硅栅极，并且CFET鳍片高度可以是例如90nm。在那种情况下，在间隔物过度蚀刻期间，预计会损失SiCO间隔物，这可能导致伪多晶硅栅极的暴露。

因此，当形成FinFET结构时，需要一种在间隔物过度蚀刻期间避免伪栅极暴露的方法。

发明概述

本发明的实施方式的目的是提供一种在形成FinFET结构的过程中保护栅极间隔物的良好方法。

上述目的是通过本发明所述的方法实现的。

本发明的实施方式涉及一种在形成FinFET结构时保护栅极间隔物的方法。

所述方法包括：

-提供具有至少一个与鳍片交叉的伪栅极的鳍片，其中栅极硬掩模存在于伪栅极顶端

-提供栅极间隔物，使其覆盖伪栅极和栅极硬掩模，

-使栅极间隔物凹陷，从而暴露出至少部分的栅极硬掩模，

-通过区域选择性沉积，在栅极硬掩模的暴露部分上选择性地生长额外的封盖材料(capping material)。

本发明的实施方式的优点在于降低了集成复杂度。因此，原因是通过区域选择性沉积来沉积额外的封盖材料，并且通过在栅极硬掩模上方提供额外的封盖材料，在工艺的后期阶段的间隔物过度蚀刻期间保护了栅极间隔物。因为间隔物过度蚀刻是定向的，由于额外的封盖材料在栅极硬掩模上生长，其在间隔物过度蚀刻期间保护栅极间隔物。通过区域选择性沉积来选择性地生长额外封盖材料，可以避免额外封盖材料在栅极间隔物上生长。

在所附的独立和从属权利要求中陈述了本发明的特定和优选方面。来自从属权利要求的特征可以适当地与独立权利要求的特征以及其他从属权利要求的特征相结合，而不仅是权利要求中明确提出的。

本发明的这些和其它方面将参考下文所述的实施方式披露并阐明。

附图简要说明

图1示出了根据本发明的实施方式的示例性方法的步骤之后，在获得的栅极间隔物沉积之后的鳍片的中间堆叠体。

图2示出了根据本发明的实施方式，在部分间隔物蚀刻之后的鳍片的中间堆叠体。

图3示出了根据本发明的实施方式，通过区域选择性沉积，在栅极硬掩模的暴露部分之上选择性地生长额外封盖材料之后的鳍片的中间堆叠体。