[发明专利]膜层厚度均匀性的检测方法

说明书

本申请公开了一种膜层厚度均匀性的检测方法，涉及半导体制造领域。该膜层厚度均匀性的检测方法包括在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构；量测所述晶圆上预定位置的所述膜厚监控结构的关键尺寸；根据量测得到的关键尺寸，检测所述预定膜层的厚度均匀性；解决了目前膜厚检测手段无法实时监控晶圆上膜层厚度分布情况的问题；达到了便捷、实时地检测量产产品的膜厚均匀性的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种膜层厚度均匀性的检测方法。

背景技术

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺是一种单片集成工艺技术，能够将双极器件、CMOS器件和DMOS器件同时制作在同一芯片上。

在BCD工艺中，需要使用外延工艺。硅外延工艺一般在高温下进行，通过对晶圆进行热处理操作从而在其表面生长外延层。基于外延生长的原理，晶圆不同区域的外延厚度存在一定的差异。

由于晶圆上膜层的均匀性关系到器件性能的稳定性，因此，需要对晶圆上膜层的厚度进行监控。然而，目前检测膜层厚度的手段无法实时检测晶圆上膜层厚度的分布情况。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种膜层厚度均匀性的检测方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种膜层厚度均匀性的检测方法，该方法包括：

在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构；

量测晶圆上预定位置的膜厚监控结构的关键尺寸；

根据量测得到的关键尺寸，检测预定膜层的厚度均匀性。

可选的，在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构，包括：

在晶圆上的预定膜层表面旋涂光刻胶；

利用带有膜厚监控结构图案的掩膜版进行曝光；

对晶圆进行显影处理，形成膜厚监控结构。

可选的，预定位置至少包括晶圆中心、晶圆边缘。

可选的，根据量测得到的关键尺寸，检测预定膜层的厚度均匀性，包括：

根据量测得到的关键尺寸，绘制特征尺寸分布区域图；特征尺寸分布区域图与晶圆对应，特征尺寸分布区域图包括预定位置和预定位置对应的膜厚监控结构的关键尺寸；

根据绘制特征尺寸分布区域图，检测预定膜层的厚度均匀性。

可选的，膜厚监控结构为CD Bar。

可选的，预定膜层为外延层。

可选的，预定膜层为氧化层。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在晶圆上预定膜层的表面形成膜厚监控结构，量测晶圆上预定位置的膜厚监控结构的关键尺寸，根据量测得到的关键尺寸，检测预定膜层的厚度均匀性；解决了目前膜厚检测手段无法实时监控晶圆上膜层厚度分布情况的问题；达到了便捷、实时地检测量产产品的膜厚均匀性的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种膜层厚度均匀性的检测方法的流程图；

图2是本申请实施例提供的一种晶圆上预定位置的示意图。

具体实施方式