[发明专利]膜层厚度均匀性的检测方法在审
| 申请号： | 202110775123.2 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113628985A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 董俊;张顾斌;王雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 厚度 均匀 检测 方法 | ||
1.一种膜层厚度均匀性的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构；
量测所述晶圆上预定位置的所述膜厚监控结构的关键尺寸；
根据量测得到的关键尺寸，检测所述预定膜层的厚度均匀性。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构，包括：
在所述晶圆上的预定膜层表面旋涂光刻胶；
利用带有膜厚监控结构图案的掩膜版进行曝光；
对所述晶圆进行显影处理，形成所述膜厚监控结构。
3.根据权利1所述的方法，其特征在于，所述预定位置至少包括晶圆中心、晶圆边缘。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据量测得到的关键尺寸，检测所述预定膜层的厚度均匀性，包括：
根据量测得到的关键尺寸，绘制特征尺寸分布区域图；所述特征尺寸分布区域图与所述晶圆对应，所述特征尺寸分布区域图包括预定位置和所述预定位置对应的膜厚监控结构的关键尺寸；
根据绘制特征尺寸分布区域图，检测所述预定膜层的厚度均匀性。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述膜厚监控结构为CDBar。
6.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述预定膜层为外延层。
7.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述预定膜层为氧化层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110775123.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
