[发明专利]一种铼-钨复合坩埚及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110771701.5 申请日: 2021-07-08
公开(公告)号: CN113512714A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 胡昌义;魏燕;蔡宏中;胡晋铨;王献;郭俊梅;张诩翔;周利民;陈力;闻名;张贵学;汪星强;李艳琼 申请(专利权)人: 贵研铂业股份有限公司
主分类号: C23C16/14 分类号: C23C16/14;C23C16/448;C30B35/00;C30B29/16
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 赵琪
地址: 650156 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合 坩埚 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供了一种铼‑钨复合坩埚及其制备方法和应用,属于金属材料制备技术领域。本发明的铼‑钨复合坩埚包括基体钨坩埚以及铼层,所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明将难熔金属钨和铼的优点结合起来,创新设计并制备铼‑钨复合坩埚,可大幅降低坩埚的成本;本发明采用CVD法制备复合坩埚内部的铼层,且铼层与氧化物熔体直接接触,在提高坩埚材料的致密度和纯度的同时,还能保证所制备激光晶体的高品质,所发明的铼/钨复合坩埚主要用于难熔金属氧化物,如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。

技术领域

本发明涉及金属材料制备技术领域,尤其涉及一种铼-钨复合坩埚及其制备方法和应用。

背景技术

目前,坩埚通常采用铱、铂、铑或贵金属合金、钨、铼制备,铼具有仅次于钨的高熔点(熔点为3180℃),并具有优良的高温力学性能和化学稳定性,可在2500~2800℃的高温下长期使用,且铼与稀土氧化物等难熔晶体不发生化学反应。目前,铼是制备高品质难熔氧化物激光晶体最好的坩埚材料。

目前,铼坩埚主要采用粉末冶金法制备,具体工艺过程:首先利用纯度不低于99.8%的铼粉装入橡胶模套与钢芯构成的模具中,然后进行冷等静压,去除模具后,得到压结致密件。将压结件在分别在500℃、750℃、1000℃、1200℃和1500℃的温度下进行预烧结,最后在2500℃的高温下进行烧结,得到致密度为88~95%的铼坩埚。但铼毕竟是一种稀有金属,价格较高,导致铼坩埚成本高。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种铼-钨复合坩埚及其制备方法。本发明提供的铼-钨复合坩埚大幅降低坩埚的成本,且提供的复合坩埚可用于难熔金属氧化物,如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。

为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:

本发明提供了一种铼-钨复合坩埚,包括基体钨坩埚以及铼层,所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。

优选地,所述铼层与基体钨坩埚的厚度比为1:1~1:10。

优选地,所述铼层与基体钨坩埚的厚度比为1:2~1:6。

本发明还提供了上述技术方案所述的铼-钨复合坩埚的制备方法,包括以下步骤:

将钨坩埚依次进行酸洗、超声清洗和干燥,得到待沉积铼层的钨坩埚基体;

将所述待沉积铼层的钨坩埚基体预热,得到预热基体;

在真空条件下,将铼与氯气发生氯化反应,得到ReCl5气体;

将所述ReCl5气体输送至所述预热基体的表面进行化学气相沉积,得到所述铼-钨复合坩埚。

优选地,所述真空条件的真空度不低于1.0Pa。

优选地,所述预热的温度为1100~1300℃。

优选地,所述预热的温度为1150~1250℃。

优选地,所述化学气相沉积的压力为800~1200Pa。

优选地,所述化学气相沉积的压力为1000Pa。

优选地,所述氯化反应的温度为600~900℃。

本发明提供了一种铼-钨复合坩埚,包括基体钨坩埚以及铼层,所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明的铼-钨复合坩埚,原材料钨粉的价格为250元/千克,不到铼粉价格(超过3万元/千克)的百分之一,大大降低了坩埚的成本,复合坩埚的原材料成本可下降50%至90%,在坩埚用于制备晶体材料时,复合坩埚中的铼层与氧化物熔体直接接触,能够保证获得高品质晶体。本发明的铼-钨复合坩埚是一种低成本、高熔点、高致密度和高纯度的复合材料坩埚,可用于难熔金属氧化物,如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。

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