[发明专利]一种铼-钨复合坩埚及其制备方法在审
申请号: | 202110771701.5 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113512714A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 胡昌义;魏燕;蔡宏中;胡晋铨;王献;郭俊梅;张诩翔;周利民;陈力;闻名;张贵学;汪星强;李艳琼 | 申请(专利权)人: | 贵研铂业股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/14 | 分类号: | C23C16/14;C23C16/448;C30B35/00;C30B29/16 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 赵琪 |
地址: | 650156 云南省昆*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 坩埚 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种铼‑钨复合坩埚及其制备方法和应用,属于金属材料制备技术领域。本发明的铼‑钨复合坩埚包括基体钨坩埚以及铼层,所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明将难熔金属钨和铼的优点结合起来,创新设计并制备铼‑钨复合坩埚,可大幅降低坩埚的成本;本发明采用CVD法制备复合坩埚内部的铼层,且铼层与氧化物熔体直接接触,在提高坩埚材料的致密度和纯度的同时,还能保证所制备激光晶体的高品质,所发明的铼/钨复合坩埚主要用于难熔金属氧化物,如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。
技术领域
本发明涉及金属材料制备技术领域,尤其涉及一种铼-钨复合坩埚及其制备方法和应用。
背景技术
目前,坩埚通常采用铱、铂、铑或贵金属合金、钨、铼制备,铼具有仅次于钨的高熔点(熔点为3180℃),并具有优良的高温力学性能和化学稳定性,可在2500~2800℃的高温下长期使用,且铼与稀土氧化物等难熔晶体不发生化学反应。目前,铼是制备高品质难熔氧化物激光晶体最好的坩埚材料。
目前,铼坩埚主要采用粉末冶金法制备,具体工艺过程:首先利用纯度不低于99.8%的铼粉装入橡胶模套与钢芯构成的模具中,然后进行冷等静压,去除模具后,得到压结致密件。将压结件在分别在500℃、750℃、1000℃、1200℃和1500℃的温度下进行预烧结,最后在2500℃的高温下进行烧结,得到致密度为88~95%的铼坩埚。但铼毕竟是一种稀有金属,价格较高,导致铼坩埚成本高。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种铼-钨复合坩埚及其制备方法。本发明提供的铼-钨复合坩埚大幅降低坩埚的成本,且提供的复合坩埚可用于难熔金属氧化物,如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种铼-钨复合坩埚,包括基体钨坩埚以及铼层,所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。
优选地,所述铼层与基体钨坩埚的厚度比为1:1~1:10。
优选地,所述铼层与基体钨坩埚的厚度比为1:2~1:6。
本发明还提供了上述技术方案所述的铼-钨复合坩埚的制备方法,包括以下步骤:
将钨坩埚依次进行酸洗、超声清洗和干燥,得到待沉积铼层的钨坩埚基体;
将所述待沉积铼层的钨坩埚基体预热,得到预热基体;
在真空条件下,将铼与氯气发生氯化反应,得到ReCl5气体;
将所述ReCl5气体输送至所述预热基体的表面进行化学气相沉积,得到所述铼-钨复合坩埚。
优选地,所述真空条件的真空度不低于1.0Pa。
优选地,所述预热的温度为1100~1300℃。
优选地,所述预热的温度为1150~1250℃。
优选地,所述化学气相沉积的压力为800~1200Pa。
优选地,所述化学气相沉积的压力为1000Pa。
优选地,所述氯化反应的温度为600~900℃。
本发明提供了一种铼-钨复合坩埚,包括基体钨坩埚以及铼层,所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明的铼-钨复合坩埚,原材料钨粉的价格为250元/千克,不到铼粉价格(超过3万元/千克)的百分之一,大大降低了坩埚的成本,复合坩埚的原材料成本可下降50%至90%,在坩埚用于制备晶体材料时,复合坩埚中的铼层与氧化物熔体直接接触,能够保证获得高品质晶体。本发明的铼-钨复合坩埚是一种低成本、高熔点、高致密度和高纯度的复合材料坩埚,可用于难熔金属氧化物,如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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