[发明专利]集成电路封装体的制造方法

说明书

本发明属于集成电路封装技术领域，尤其是集成电路封装体的制造方法，包括以下步骤：将由树脂形成的拉伸前膜拉伸而得到拉伸膜，对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2000‑2100次，树脂膜的吸水率为0.08％‑0.09％，且耐热温度为180‑190摄氏度，取多层铜箔与多层拉伸膜复合，拉伸膜与铜箔间隔设置，铜箔与拉伸膜环氧通过粘合剂粘合，进行热处理，逐渐冷却，退火，得到封装用承载基板，配置承载基板与配置于该承载基板上的导电材料层；本发明制得的集成电路封装体能有效屏蔽集成电路工作时产生的电磁波，降低电磁波危害；同时，封装工艺成本低，实用价值高，易于推广。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，尤其涉及集成电路封装体的制造方法。

背景技术

集成电路封装不仅起到集成电路集成电路内键合点与外部进行电气连接的作用，也为集成电路集成电路提供了一个稳定可靠的工作环境，对集成电路集成电路起到机械或环境保护的作用，从而集成电路集成电路能够发挥正常的功能，并保证其具有高稳定性和可靠性。总之，集成电路封装质量的好坏，对集成电路总体的性能优劣关系很大。因此，封装应具有较强的机械性能、良好的电气性能、散热性能和化学稳定性。电场和磁场的交互变化产生的电磁波，电磁波向空中发射或泄露的现象，叫电磁辐射。电磁辐射是一种看不见、摸不着的场。人类生存的地球本身就是一个大磁场，它表面的热辐射和雷电都可产生电磁辐射，太阳及其他星球也从外层空间源源不断地产生电磁辐射。围绕在人类身边的天然磁场、太阳光、家用电器等都会发出强度不同的辐射。电磁辐射是物质内部原子、分子处于运动状态的一种外在表现形式。电磁辐射对我们生活环境有影响的电磁辐射分为天然电磁辐射和人为电磁辐射两种。大自然引起的如雷、电一类的电磁辐射属于天然电磁辐射类，而人为电磁辐射污染则主要包括脉冲放电、工频交变磁场、微波、射频电磁辐射等。

现有的集成电路封装在使用时，容易受到电磁波的干扰，影响集成电路的正常工作，为此我们提出集成电路封装体的制造方法。

发明内容

本发明的目的在于提供集成电路封装体的制造方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：集成电路封装体的制造方法，包括以下步骤：

S1、将由树脂形成的拉伸前膜拉伸而得到拉伸膜；

S2、对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2000-2100次，树脂膜的吸水率为0.08％-0.09％，且耐热温度为180-190摄氏度；

S3、取多层铜箔与多层拉伸膜复合，拉伸膜与铜箔间隔设置，铜箔与拉伸膜环氧通过粘合剂粘合，进行热处理，逐渐冷却，退火，得到封装用承载基板；

S4、配置承载基板与配置于该承载基板上的导电材料层；

S5、图案化该导电材料层，以形成导电图案层；

S6、形成线路基板于该承载基板上，其中形成线路基板包括形成介电层于该承载基板上，该介电层覆盖该承载基板与该导电图案层；

S7、配置集成电路于该承载基板上，并将该集成电路电性连接该承载基板；

S8、形成封装胶体于该承载基板上，其中该封装胶体包覆该集成电路；以及移除该承载基板，其中该接垫的底面与该介电层的表面切齐。

优选的，所述承载基板包括磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，磊晶层具有贯穿其第一半导体层、发光层及第二半导体层的缺陷。

优选的，步骤S3中，进行热处理的工序包括将加工完毕坡莫合金PC材料加热至650℃至850℃后，逐渐冷却该加工完毕坡莫合金 PC材料的退火工序，得到承载基板。

优选的，承载基板顶面具有多个沟槽及多个凸脊，缺陷位于凸脊上方，沟槽与凸脊交替分布于承载基板顶面。