[发明专利]集成电路封装体的制造方法

权利要求书

1.集成电路封装体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将由树脂形成的拉伸前膜拉伸而得到拉伸膜；

S2、对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2000-2100次，树脂膜的吸水率为0.08％-0.09％，且耐热温度为180-190摄氏度；

S3、取多层铜箔与多层拉伸膜复合，拉伸膜与铜箔间隔设置，铜箔与拉伸膜环氧通过粘合剂粘合，进行热处理，逐渐冷却，退火，得到封装用承载基板；

S4、配置承载基板与配置于该承载基板上的导电材料层；

S5、图案化该导电材料层，以形成导电图案层；

S6、形成线路基板于该承载基板上，其中形成线路基板包括形成介电层于该承载基板上，该介电层覆盖该承载基板与该导电图案层；

S7、配置集成电路于该承载基板上，并将该集成电路电性连接该承载基板；

S8、形成封装胶体于该承载基板上，其中该封装胶体包覆该集成电路；以及移除该承载基板，其中该接垫的底面与该介电层的表面切齐。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，所述承载基板包括磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，磊晶层具有贯穿其第一半导体层、发光层及第二半导体层的缺陷。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，步骤S3中，进行热处理的工序包括将加工完毕坡莫合金PC材料加热至650℃至850℃后，逐渐冷却该加工完毕坡莫合金PC材料的退火工序，得到承载基板。

4.根据权利要求2所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，承载基板顶面具有多个沟槽及多个凸脊，缺陷位于凸脊上方，沟槽与凸脊交替分布于承载基板顶面。

5.根据权利要求4所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，沟槽内部形成缓冲层，缓冲层的厚度小于沟槽的深度，缓冲层位于磊晶层及基板之间。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，树脂包含选自丁腈橡胶、天然橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、丁二烯橡胶、乙烯丙烯橡胶、异戊二烯橡胶、聚氨酯橡胶、和丙烯酸橡胶中的1种以上。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，步骤S2中，对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2100次，树脂膜的吸水率为0.09％，且耐热温度为180摄氏度。

8.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，步骤S2中，对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2050次，树脂膜的吸水率为0.085％，且耐热温度为190摄氏度。