[发明专利]三维存储装置及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储装置，其特征在于，包括：

衬底；

存储叠层结构，位于所述衬底上；

存储沟道结构，贯穿所述存储叠层结构，包括沿其径向方向由外向内的功能层和存储沟道层；

选择叠层结构，位于所述存储叠层结构的远离所述衬底的一侧；以及

选择沟道结构，贯穿所述选择叠层结构，并与所述存储沟道结构的远离所述衬底的端面相接触，包括选择沟道层；

其中，所述选择沟道层的厚度大于所述存储沟道层的厚度。

2.根据权利要求1所述的三维存储装置，其特征在于，所述选择沟道层与所述选择叠层结构相接触。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储装置，其特征在于，所述三维存储装置还包括：

沟道插塞，位于所述选择沟道结构的远离所述衬底的端部，并与所述选择沟道层相接触。

4.根据权利要求1或2所述的三维存储装置，其特征在于，所述存储叠层结构和所述选择叠层结构均包括交替叠置的电介质层和栅极层，所述栅极层包括位于芯部的导电层以及至少部分围绕所述导电层的栅极阻挡层。

5.根据权利要求4所述的三维存储装置，其特征在于，所述三维存储装置还包括：

栅极缝隙结构，依次贯穿所述选择叠层结构和所述存储叠层结构，包括导电芯部以及依次至少部分围绕所述导电芯部的隔离层。

6.一种三维存储装置的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成存储叠层结构并形成贯穿所述存储叠层结构的存储沟道结构，其中，所述存储沟道结构包括沿其径向方向由外向内的功能层和存储沟道层；

在所述存储叠层结构的远离所述衬底的一侧形成选择叠层结构；

形成贯穿所述选择叠层结构的选择沟道孔，其中，所述选择沟道孔与所述存储沟道结构的远离所述衬底的端面相接触；以及

在所述选择沟道孔的内壁上形成选择沟道层，其中，所述选择沟道层的厚度大于所述存储沟道层的厚度。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述选择沟道孔的内壁上形成选择沟道层的步骤之后，所述方法还包括：

在形成有所述选择沟道层的所述选择沟道孔内形成绝缘填充层。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述选择沟道孔的内壁上形成选择沟道层的步骤包括：

在所述选择沟道孔的内壁和所述选择叠层结构的远离所述衬底的表面形成选择沟道材料层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述选择沟道孔的内壁和所述选择叠层结构的远离所述衬底的表面形成选择沟道材料层的步骤之后，所述方法包括：

在形成有所述选择沟道材料层的所述选择沟道孔内形成绝缘填充材料层，并覆盖所述选择沟道材料层的位于所述选择叠层结构上的部分；以及

去除所述选择沟道材料层和所述绝缘填充材料层的位于所述选择沟道孔之外的部分，以形成所述选择沟道层和所述绝缘填充层。

10.根据权利要求7或9所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述选择沟道孔的孔口处形成与所述选择沟道层相接触的选择沟道插塞。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述存储叠层结构和所述选择叠层结构均包括交替叠置的电介质层和牺牲层，其中，所述方法还包括：

形成依次贯穿所述选择叠层结构和所述存储叠层结构的栅极缝隙；

经由所述栅极缝隙去除全部的所述牺牲层，以形成牺牲间隙；以及

在所述牺牲间隙内形成栅极层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述牺牲间隙内形成栅极层的步骤包括：

在所述牺牲间隙的内壁上形成栅极阻挡层；以及

在形成有所述栅极阻挡层的所述牺牲间隙内形成导电层，以形成所述栅极层。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，形成依次贯穿所述选择叠层结构和所述存储叠层结构的栅极缝隙的步骤之后，所述方法还包括：

在所述栅极缝隙的侧壁上形成隔离层；以及

在形成有所述隔离层的所述栅极缝隙内填充导电材料。