[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一个或多个：其中，第一制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层；通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口；第二制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第二保护层；通过激光工艺去除部分第二保护层，以形成暴露半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口；对待挖槽区域进行腐蚀处理，以形成沟槽；第三制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第三保护层；通过激光工艺去除部分第三保护层，以形成电极窗口。本发明实施例的技术方案通过激光去除掩膜，替代光刻实现图形转移。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

现有的半导体器件制作过程中通过光刻工艺实现图形转移。光刻工艺的流程可包括来片表面预处理、涂光刻胶、软烤、对位曝光、显影、坚膜、台面腐蚀、去胶等。由于光刻工艺流程多，操作流程繁琐，对环境温湿度及洁净度要求高，生产周期长，中间过程易产生异常返工，设备投入大，生产成本高。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体器件的制作方法，用激光去除掩膜，替代光刻实现图形转移，减少或取消光刻工艺的使用，减少光刻工艺产生的废液废胶，更环保，且激光刻蚀操作便捷，降低流片时间和成本。

本发明实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一个或多个：

其中，第一制程包括：

在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层；

通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口；

对待掺杂区域进行掺杂处理，以形成掺杂区域；

第二制程包括：

在半导体衬底的至少一侧形成第二保护层；

通过激光工艺去除部分第二保护层，以形成暴露半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口；

对待挖槽区域进行腐蚀处理，以形成沟槽；

第三制程包括：

在半导体衬底的至少一侧形成第三保护层；

通过激光工艺去除部分第三保护层，以形成电极窗口；

在电极窗口内形成导电材料层，以形成电极。

进一步地，在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层包括：在半导体衬底的相对的第一侧和第二侧形成第一保护层；

通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口包括：

通过激光工艺去除半导体衬底的第一侧的部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口；

通过图像采集模块，获取半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口的位置；

根据半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口的位置，调整激光光斑在半导体衬底的第二侧的位置；

通过激光工艺去除半导体衬底的第二侧的部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的第二侧的待掺杂区域的掺杂窗口。

进一步地；在半导体衬底的至少一侧形成第二保护层包括：在半导体衬底的相对的第一侧和第二侧形成第二保护层；

通过激光工艺去除部分第二保护层，以形成暴露半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口包括：

通过激光工艺去除半导体衬底的第一侧的部分第二保护层，以形成暴露半导体衬底的第一侧的待挖槽区域的沟槽窗口；