[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一个或多个：

其中，所述第一制程包括：

在所述半导体衬底的至少一侧形成第一保护层；

通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露所述半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口；

对所述待掺杂区域进行掺杂处理，以形成掺杂区域；

所述第二制程包括：

在所述半导体衬底的至少一侧形成第二保护层；

通过激光工艺去除部分第二保护层，以形成暴露所述半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口；

对所述待挖槽区域进行腐蚀处理，以形成沟槽；

所述第三制程包括：

在所述半导体衬底的至少一侧形成第三保护层；

通过激光工艺去除部分第三保护层，以形成电极窗口；

在所述电极窗口内形成导电材料层，以形成电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的至少一侧形成第一保护层包括：在所述半导体衬底的相对的第一侧和第二侧形成第一保护层；

通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露所述半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口包括：

通过激光工艺去除所述半导体衬底的第一侧的部分第一保护层，以形成暴露所述半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口；

通过图像采集模块，获取所述半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口的位置；

根据所述半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口的位置，调整激光光斑在所述半导体衬底的第二侧的位置；

通过激光工艺去除所述半导体衬底的第二侧的部分第一保护层，以形成暴露所述半导体衬底的第二侧的待掺杂区域的掺杂窗口。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的至少一侧形成第二保护层包括：在所述半导体衬底的相对的第一侧和第二侧形成第二保护层；

通过激光工艺去除部分第二保护层，以形成暴露所述半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口包括：

通过激光工艺去除所述半导体衬底的第一侧的部分第二保护层，以形成暴露所述半导体衬底的第一侧的待挖槽区域的沟槽窗口；

通过图像采集模块，获取所述半导体衬底的第一侧的待挖槽区域的沟槽窗口的位置；

根据所述半导体衬底的第一侧的待挖槽区域的沟槽窗口的位置，调整激光光斑在所述半导体衬底的第二侧的位置；

通过激光工艺去除所述半导体衬底的第二侧的部分第二保护层，以形成暴露所述半导体衬底的第二侧的待挖槽区域的沟槽窗口。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的至少一侧形成第三保护层包括：在所述半导体衬底的相对的第一侧和第二侧形成第三保护层；

通过激光工艺去除部分第三保护层，以形成电极窗口包括：

通过激光工艺去除所述半导体衬底的第一侧的部分第三保护层，以形成所述半导体衬底的第一侧的电极窗口；

通过图像采集模块，获取所述半导体衬底的第一侧的电极窗口的位置；

根据所述半导体衬底的第一侧的电极窗口的位置，调整激光光斑在所述半导体衬底的第二侧的位置；

通过激光工艺去除所述半导体衬底的第二侧的部分第三保护层，以形成所述半导体衬底的第二侧的电极窗口。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述激光工艺中采用设置有振镜的激光器。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在对所述待掺杂区域进行掺杂处理之前，还包括：

对所述掺杂窗口的底部和侧壁进行损伤修复处理。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，通过化学和/或物理方法，对所述掺杂窗口的底部和侧壁进行损伤修复处理。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述化学和/或物理方法包括下述一种或多种：酸性溶液和/或碱性溶液清洗，以及干法刻蚀。