[发明专利]滤波器及其制造方法

说明书

本公开内容涉及一种滤波器，包括：衬底，一个或多个谐振器，其特征在于，衬底上设有围绕所述一个或多个谐振器的堤坝结构，所述堤坝结构伸入衬底内部。此外，本公开内容还涉及一种滤波器的制造方法，包括如下步骤：提供衬底，在衬底上形成一个或多个谐振器；在衬底上形成一个堤坝结构，所述堤坝结构围绕所述一个或多个谐振器设置，且堤坝结构伸入衬底内部。

技术领域

本公开内容涉及半导体的技术领域，特别地，本公开内容涉及滤波器及其制造方法。

背景技术

薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)使用硅衬底借助微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)技术以及薄膜技术来制造。薄膜腔声谐振滤波器通常设有单密封圈。单密封圈直接沉积在衬底上。单密封圈底层在一定条件会发生水解反应。当薄膜腔声谐振滤波器件在严苛工作条件下工作时，湿气易经由底层侵入器件内部，造成器件失效。

因此，薄膜腔声谐振滤波器通常采用多层密封圈。也就是说，除了直接沉积在衬底上的密封圈之外，还会在封装阶段中借助电镀形成附加的密封圈。然而，这无疑增加了制造复杂度并且进一步使成本升高。

发明内容

在下文中给出了关于本公开内容的简要概述，以便提供关于本公开内容的某些方面的基本理解。但是，应当理解，此概述并非关于本公开内容的穷举性概述，也非意在确定本公开内容的关键性部分或重要部分，更非意在限定本公开内容的范围。此概述的目的仅在于以简化的形式给出关于本公开内容的某些发明构思，以此作为稍后给出的更详细的描述的前序。

本公开内容的目的在于提供能够克服现有技术中存在的上述问题的滤波器及其制造方法。

根据本公开内容的一个方面，提供了一种滤波器，其包括：衬底，一个或多个谐振器，其特征在于，衬底上设有围绕所述一个或多个谐振器的堤坝结构，所述堤坝结构伸入衬底内部。

根据本公开内容的另一方面，提供了一种滤波器的制造方法，包括如下步骤：提供衬底，在衬底上形成一个或多个谐振器；在衬底上形成一个堤坝结构，所述堤坝结构围绕所述一个或多个谐振器设置，且堤坝结构伸入衬底内部。

根据本公开内容的又一方面，提供了一种电子装置，其包括一个或多个根据本公开内容的滤波器。

根据本公开内容的滤波器在无多层密封圈的情况下就能够实现良好的密封效果。通过改进了滤波器的结构，在不增加制造复杂性的情况下有效地防止在极端工作条件下湿气的侵入，显著地提升滤波器的抗湿性能。由于工艺简化，显著地降低了制造成本。

附图说明

所包括的附图用于提供本公开内容的进一步理解，并且被并入本说明书中构成本说明书的一部分。附图示出了本公开内容的实施方式，连同下面的描述一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：

图1A示出了根据本公开内容的第一实施方式的滤波器的横截面图；

图1B示出了根据本公开内容的第一实施方式的滤波器的局部放大横截面图；

图1C示出了根据本公开内容的第一实施方式的滤波器的声学谐振器的布置的俯视图；

图2A至2O示出了用于制备根据本发明公开内容的第一实施方式的滤波器的工艺流程图。

具体实施方式

在本说明书中，还将理解，当一个部件(或区域、层、部分)被称为相对于其他元件，诸如在其他元件“上”，“连接到”或“耦接到”其他元件时，该一个部件可以直接设置在该一个部件上/直接连接到/直接耦接到该一个部件，或者还可以存在居间的第三部件。相反，当在本说明书中元件(或区域、层、部分等)被称为相对于其他元件，诸如“直接”在其他元件“上”，“直接连接到”或“直接耦接到”其他元件时，在它们之间没有设置居间的元件。