[发明专利]滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种滤波器，包括：

衬底，

设置于衬底上的一个或多个谐振器，其特征在于，

衬底上设有环绕所述一个或多个谐振器的堤坝结构，所述堤坝结构伸入衬底内部，所述衬底包含硅基材料；

其中，

所述堤坝结构包括在水平方向上设置的第一部分和第二部分，所述第一部分或所述第二部分中的一个的下端延伸至所述衬底内部，所述堤坝结构未延伸至衬底内部的部分设置于电极之上；

所述滤波器还包括覆盖部，所述覆盖部与所述堤坝结构的第一部分或第二部分的顶部键合连接。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述下端伸入至所述衬底内部的深度在0至20μm的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的滤波器，其特征在于，所述堤坝结构的第一部分和/或第二部分包括键合金属。

4.根据权利要求1或2所述的滤波器，其中，所述第一部分在水平方向上与所述第二部分邻接，第一部分在水平方向上与压电材料层邻接。

5.一种滤波器的制造方法，包括如下步骤：

提供硅基衬底，

在衬底上形成一个或多个谐振器；

在衬底上形成一个堤坝结构，所述堤坝结构环绕所述一个或多个谐振器设置，且堤坝结构伸入衬底内部；

其中在所述衬底上形成堤坝结构包括：在水平方向上在所述衬底上形成第一部分或第二部分，使得所述第一部分或第二部分中的一个的下端延伸至衬底内部；所述堤坝结构未延伸至衬底内部的部分形成于电极之上；

在所述堤坝结构上键合形成覆盖部，其中所述覆盖部与所述堤坝结构实现对谐振器的密封。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述下端延伸至所述衬底内部的深度在0至20μm的范围内。

7.一种电子装置，其包括一个或多个根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器。