[发明专利]石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件有效
| 申请号： | 202110746535.3 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113451430B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 贺园园;程娜;赵健伟 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0296;H01L31/028;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙) 31303 | 代理人： | 杜亚 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 双层 硼烯范德华异质结 光电二极管 器件 | ||
1.一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，由单层石墨烯、双层碲烯和单层硼烯构成；
沿水平方向D，双层碲烯自左至右由m1段、m2段和m3段组成，单层硼烯自左至右由n1段、n2段和n3段组成；单层石墨烯和m1段构成左电极区，m2段、m3段、n1段和n2段构成中心散射区，n3段构成右电极区；
单层石墨烯沿水平方向D垂直堆叠在m1段上形成石墨烯/双层碲烯范德华异质结；m3段沿水平方向D垂直堆叠在n1段上形成双层碲烯/硼烯范德华异质结。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，石墨烯/双层碲烯范德华异质结的左端半无限延伸，单层硼烯的右端半无限延伸。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件的真空层厚度为
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，中心散射区的长度为L或2L，L为双层碲烯/硼烯范德华异质结沿水平方向D重复2N个晶格周期，N为1、2或3。
5.根据权利要求4所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，双层碲烯的结构属于α晶型，其晶格取向为[001]、[010]或[100]晶向。
6.根据权利要求5所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，水平方向D为与双层碲烯共平面的水平电场a-方向或水平电场c-方向，水平电场a-方向为沿着坐标轴的x方向水平施加的电场的方向，水平电场c-方向为沿着坐标轴的z方向水平施加的电场的方向，坐标轴是范德华异质结晶胞的坐标轴。
7.根据权利要求6所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，水平方向D为与双层碲烯共平面的水平电场c-方向。
8.根据权利要求7所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，双层碲烯的晶格取向为[100]晶向。
9.根据权利要求8所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，其特征在于，中心散射区的长度为2L；N为1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
