[发明专利]一种氮化镓功率器件的制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1. 通过MOCVD在衬底（1）上外延生长器件漂移区（2）；

S2. 过ICP刻蚀台面进行器件隔离；

S3. 在器件漂移区（2）上通过PECVD沉积介质层（5）SiO2作为掩膜，去除p型GaN区域（4）位置处的SiO2掩膜层（3）；具体包括：

S31. 通过PECVD在器件漂移区（2）上沉积0.1μm～10μm的SiO2掩膜层（3）；

S32. 在要生长p型GaN区域（4）的位置的SiO2掩膜层（3）上通过光刻开窗口；

S33. 通过缓冲氢氟酸去除未被光刻胶覆盖的SiO2掩膜层（3）；

S4. 外延生长出p型GaN区域（4），去除SiO2掩膜层（3）；

S5. 在步骤S4形成的器件上生长介质层（5），去除器件肖特基接触区域位置处的介质层（5）；具体包括：

S51. 在步骤S4形成的器件上沉积10nm～500nm的介质层（5）；

S52. 在要形成肖特基接触位置的介质层（5）上通过光刻开窗口；

S53. 通过缓冲氢氟酸去除未被光刻胶覆盖的介质层（5）；

S6. 将步骤S5形成的器件通过键合层（6），键合到临时衬底（7）上；

S7. 通过衬底剥离技术，将原衬底（1）从步骤S6形成的器件上剥离下来；

S8. 在器件漂移区（2）上采用电子束蒸发法或磁控溅射法蒸镀Ti/Al/Ni/Au形成欧姆接触电极作为二极管阴极（8）；

S9. 在欧姆接触电极上电镀金属Ni，形成金属衬底（9）；

S10. 去除键合层（6）和临时衬底（7）；

S11. 采用电子束蒸发法或磁控溅射法在器件p型GaN区域（4）和漂移区上蒸镀Ni/Au形成肖特基电极，采用剥离的方法选择性留下电极，作为二极管阳极（10）；

其中，所述的器件漂移区（2）为位错密度低的非故意掺杂GaN外延层、Si掺杂外延层或As掺杂外延层；器件漂移区（2）的厚度为1μm~50μm，载流子浓度为；所述的p型GaN区域（4），空穴浓度为，厚度为0.1μm~10μm；所述的介质层（5）材料为Al2O3、SiN、SiO2中的任一种，厚度为10nm~500nm；所述的金属衬底（9）材料为Cu、Ni中的一种，厚度为40μm~100μm；所述的二极管阴极（8）的材料为Ti/Al/Ni/Au合金、Ti/Al/Ti/Au合金、Ti/Al/Mo/Au合金、或Ti/Al/Ti/TiN合金中的任一种；所述的二极管阳极（10）的材料为金属Ni、Au、Pt、Pd、Ir、Mo、Al、Ti、TiN、Ta、TaN、ZrN、VN、NbN中的一种或其堆叠结构；所述的步骤S1中的衬底（1）包括蓝宝石衬底、SiC衬底、或Si衬底。