[发明专利]相变存储器及其控制电路

说明书

本发明提供了一种相变存储器及其控制电路。通过使第一位线控制电路和第一字线驱动模块沿着位线的延伸方向布置，第二位线控制电路和第二字线驱动模块沿着位线的延伸方向布置，从而可允许在第一字线驱动模块和第二字线驱动模块的上方空间中也设置有功能性的位线，实现了对第一字线驱动模块和第二字线驱动模块的上方空间的有效利用，提高了相变存储器的版图利用率，有利于进一步缩减器件尺寸。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种相变存储器及其控制电路。

背景技术

信息技术的飞速发展需要大量的高性能存储器件，低压、低功耗、高速与高密度是存储技术的必然发展趋势。相变存储器PCM是在CMOS集成电路基础上发展起来的新一代非挥发固态半导体存储器，其相比于当今主流产品具有多种优势。例如，在存储密度方面，目前主流存储器在20多纳米的技术节点上出现极限，无法进一步紧凑集成；而相变存储器可达5纳米量级。以及，在存储速度方面，相变存储器的相变电阻比闪存快100倍，使用寿命也达百倍以上。

作为下一代的主流存储器，相变存储器得以快速发展，例如工艺技术的改进以及电路设计的优化等，实现了各个存储器单元按比例缩小到较小的尺寸。但是，随着应用需求的不断提升，相变存储器进一步小型化仍是本领域的一个重要目标。

发明内容

本发明的目的在于提供一种相变存储器及其控制电路，以提高相变存储器的版图利用率，实现器件尺寸的缩减。

为解决上述技术问题，本发明提供一种相变存储器的控制电路，所述相变存储器的控制电路包括用于驱动控制存储区块的区块电路，所述区块电路包括：字线控制电路、第一位线控制电路和第二位线控制电路。其中，所述字线控制电路包括沿着第一方向布置的第一字线驱动模块和第二字线驱动模块，所述第一字线驱动模块和所述第二字线驱动模块在第二方向相互错开，所述第一方向和所述第二方向相互垂直。以及，所述第一位线控制电路和所述第二位线控制电路沿着所述第二方向布置，并且所述第一位线控制电路和所述第一字线驱动模块沿着所述第一方向布置，所述第二位线控制电路和所述第二字线驱动模块沿着所述第一方向布置。

可选的，所述第一位线控制电路和所述第二位线控制电路在所述第二方向上紧邻设置；和/或，所述第一字线驱动模块和第二字线驱动模块在所述第一方向上紧邻设置。

可选的，所述第一字线驱动模块、所述第二字线驱动模块、所述第一位线控制电路和所述第二位线控制电路均以矩形结构设置，并且所述第一字线驱动模块、所述第二字线驱动模块、所述第一位线控制电路和所述第二位线控制电路以顶角相对分布。

可选的，所述第一字线驱动模块靠近所述第二字线驱动模块、且沿着所述第一方向延伸的边缘上设置有字线接触区，所述第二字线驱动模块靠近所述第一字线驱动模块、且沿着所述第一方向延伸的边缘上也设置有字线接触区，所述字线接触区上设置有沿着所述第一方向依次排布的多个字线接触插塞，多个所述字线接触插塞用于和多条字线一一对应连接。

可选的，所述第一字线驱动模块和所述第二字线驱动模块中均设置有多个第一连接点和多个第二连接点；所述第一连接点位于所述字线接触区内、且与所述字线接触插塞的底部相连，所述第二连接点位于所述字线接触区之外且与互连线连接，所述互连线延伸至所述字线接触区内并与所述字线接触插塞的底部相连。

可选的，所述第一位线控制电路和所述第二位线控制电路均包括所述第一方向依次排布的上层位线选择模块、位线驱动模块和下层位线选择模块，以及所述位线驱动模块用于驱动所述上层位线选择模块和所述下层位线选择模块。

可选的，同一位线控制电路中的上层位线选择模块、位线驱动模块和下层位线选择模块沿着所述第一方向紧邻排布。

可选的，所述上层位线选择模块和所述下层位线选择模块相互背离、且沿着所述第二方向延伸的边缘上均设置有位线接触区，所述位线接触区上设置有沿着所述第二方向依次排布的多个位线接触插塞，多个所述位线接触插塞用于与多条位线一一对应连接。