[发明专利]长波III-V族红外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110720700.8 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115602742A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;孙夺 | 申请（专利权）人： | 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 杨东明;林嵩 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 长波 iii 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种长波III-V族红外探测器，其特征在于，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：
BxIn1-xAs1-y-zSbyBiz，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06。
2.如权利要求1所述的长波III-V族红外探测器，其特征在于，所述衬底、所述缓冲层、所述帽层的材料均为GaSb。
3.如权利要求1所述的长波III-V族红外探测器，其特征在于，所述衬底、所述缓冲层、所述帽层均为InAs材料。
4.如权利要求1所述的长波III-V族红外探测器，其特征在于，所述缓冲层采用P型掺杂，所述帽层采用N型高掺杂。
5.如权利要求1所述的长波III-V族红外探测器，其特征在于，所述缓冲层采用N型掺杂，所述帽层采用P型高掺杂。
6.如权利要求1所述的长波III-V族红外探测器，其特征在于，
所述缓冲层掺杂的载流子浓度高于1×1018cm-3；
所述帽层掺杂的载流子浓度高于1×1018cm-3。
7.如权利要求1所述的长波III-V族红外探测器，其特征在于，所述缓冲层的厚度为0.5μm-1μm。
8.如权利要求1所述的长波III-V族红外探测器，其特征在于，所述帽层的厚度为0.2μm-0.6μm。
9.如权利要求1所述的长波III-V族红外探测器，其特征在于，所述吸收层的厚度为1μm-3μm。
10.一种长波III-V族红外探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在衬底上生长缓冲层，所述缓冲层和所述衬底的材料相同；
在所述缓冲层上生长吸收层；所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述吸收层的组分结构满足BxIn1-xAs1-y-zSbyBiz，其中x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06；
在所述吸收层上生长帽层；所述帽层和所述衬底的材料相同；所述帽层和所述缓冲层的掺杂类型相反；
基于所述完成材料生长的衬底制备所述长波III-V族红外探测器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
