[发明专利]具有并联晶体管堆叠的开关电路和其操作的方法

说明书

本发明涉及具有并联晶体管堆叠的开关电路和其操作的方法。一种开关电路包括并联耦合在第一端口与第二端口之间的第一晶体管堆叠和第二晶体管堆叠。所述第一晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以在所述第一端口与第二端口之间提供第一可变传导路径的第一多个晶体管。所述第一多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第一控制端的栅极端。所述第二晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以在所述第一端口与第二端口之间提供第二可变传导路径的第二多个晶体管。所述第二多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第二控制端的栅极端。当在收发器中实施时，第一驱动器和第二驱动器被配置成将所述第一可变传导路径和第二可变传导路径同时配置成低阻抗状态。

技术领域

本文所描述的主题的实施例大体上涉及RF开关以及用于操作此类RF开关的方法。

背景技术

射频(RF)开关通常用在通信收发器中以将发送器和接收器电路系统选择性地连接到天线或其它通信构件。为了将收发器配置成发送状态，控制RF开关以在RF开关的发送器端口与天线端口之间提供信号路径，同时在RF开关的天线端口与接收器端口之间建立高阻抗(例如，开路)。相反地，为了将收发器配置成接收状态，控制RF开关以在天线端口与接收器端口之间提供信号路径，同时在发送器端口与天线端口之间建立高阻抗(例如，开路)。

一些RF开关在其发送端口、接收端口和天线端口之间包括场效应晶体管(FET)的堆叠(即，串联耦合布置)以实现更高功率处置能力。然而，在包括相对大的FET堆叠的高功率开关中，与在发送和接收状态之间切换相关联的稳定时间可能相对缓慢，因此限制了系统性能。因此，需要的是当与常规RF开关比较时表征为较快稳定时间的RF开关。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种开关电路，包括：

第一端口；

第二端口；

耦合在所述第一端口与第二端口之间的第一晶体管堆叠，其中所述第一晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以在所述第一端口与第二端口之间提供第一可变传导路径的第一多个晶体管，并且其中所述第一多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第一控制端的栅极端；以及

与所述第一晶体管堆叠并联耦合在所述第一端口与第二端口之间的第二晶体管堆叠，其中所述第二晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以在所述第一端口与第二端口之间提供第二可变传导路径的第二多个晶体管，并且其中所述第二多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第二控制端的栅极端。

在一个或多个实施例中，所述开关电路另外包括：

第一驱动器，其耦合到所述第一控制端；以及

第二驱动器，其耦合到所述第二控制端，其中所述第一驱动器和第二驱动器被配置成同时接通或关断所述第一多个晶体管和第二多个晶体管。

在一个或多个实施例中，所述开关电路另外包括：

第三端口；以及

耦合在所述第一端口与第三端口之间的第三晶体管堆叠，其中所述第三晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第三端口之间的第三多个晶体管，并且其中所述第三多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第三控制端的栅极端。

在一个或多个实施例中，所述开关电路另外包括：

耦合在所述第三端口与接地参考节点之间的第四晶体管堆叠，其中所述第四晶体管堆叠包括串联耦合在所述第三端口与所述接地参考节点之间的第四多个晶体管，并且其中所述第四多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第四控制端的栅极端。

在一个或多个实施例中，所述开关电路另外包括：