[发明专利]具有并联晶体管堆叠的开关电路和其操作的方法在审
申请号: | 202110709740.2 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN114070288A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | V·N·K·马拉蒂 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 并联 晶体管 堆叠 开关电路 操作 方法 | ||
1.一种开关电路,其特征在于,包括:
第一端口;
第二端口;
耦合在所述第一端口与第二端口之间的第一晶体管堆叠,其中所述第一晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以在所述第一端口与第二端口之间提供第一可变传导路径的第一多个晶体管,并且其中所述第一多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第一控制端的栅极端;以及
与所述第一晶体管堆叠并联耦合在所述第一端口与第二端口之间的第二晶体管堆叠,其中所述第二晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以在所述第一端口与第二端口之间提供第二可变传导路径的第二多个晶体管,并且其中所述第二多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第二控制端的栅极端。
2.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,另外包括:
第一驱动器,其耦合到所述第一控制端;以及
第二驱动器,其耦合到所述第二控制端,其中所述第一驱动器和第二驱动器被配置成同时接通或关断所述第一多个晶体管和第二多个晶体管。
3.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,另外包括:
第三端口;以及
耦合在所述第一端口与第三端口之间的第三晶体管堆叠,其中所述第三晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第三端口之间的第三多个晶体管,并且其中所述第三多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第三控制端的栅极端。
4.根据权利要求3所述的开关电路,其特征在于,另外包括:
耦合在所述第三端口与接地参考节点之间的第四晶体管堆叠,其中所述第四晶体管堆叠包括串联耦合在所述第三端口与所述接地参考节点之间的第四多个晶体管,并且其中所述第四多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第四控制端的栅极端。
5.根据权利要求4所述的开关电路,其特征在于,另外包括:
耦合在所述第三端口与所述接地参考节点之间的第五晶体管堆叠,其中所述第五晶体管堆叠包括串联耦合在所述第三端口与所述接地参考节点之间的第五多个晶体管,并且其中所述第五多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第五控制端的栅极端。
6.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述第一晶体管堆叠和第二晶体管堆叠形成所述第一端口与第二端口之间的第一支路的部分,并且所述开关电路另外包括:
第三端口;
耦合在所述第一端口与第三端口之间的第二支路;
耦合在所述第二端口与接地参考节点之间的第三支路;以及
耦合在所述第三端口与所述接地参考节点之间的第四支路。
7.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述第一多个晶体管和第二多个晶体管中的每个晶体管是场效应晶体管。
8.根据权利要求7所述的开关电路,其特征在于,所述第一多个晶体管和第二多个晶体管中的每个晶体管是多栅极场效应晶体管。
9.一种收发器,其特征在于,包括:
开关电路,其包括
第一端口,
第二端口,
第三端口,
耦合在所述第一端口与第二端口之间的第一晶体管堆叠,其中所述第一晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以在所述第一端口与第二端口之间提供第一可变传导路径的第一多个晶体管,并且其中所述第一多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第一控制端的栅极端,
与所述第一晶体管堆叠并联耦合在所述第一端口与第二端口之间的第二晶体管堆叠,其中所述第二晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以在所述第一端口与第二端口之间提供第二可变传导路径的第二多个晶体管,并且其中所述第二多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第二控制端的栅极端,以及
耦合在所述第二端口与第三端口之间的第三晶体管堆叠,其中所述第三晶体管堆叠包括串联耦合在所述第二端口与第三端口之间以在所述第二端口与第三端口之间提供第三可变传导路径的第三多个晶体管,并且其中所述第三多个晶体管中的每个晶体管具有耦合到第三控制端的栅极端。
10.一种操作开关电路的方法,其特征在于,所述方法包括:
由开关控制器将开关电路的第一可变传导路径和第二可变传导路径同时配置成低阻抗状态,其中所述第一可变传导路径和第二可变传导路径并联耦合在所述开关电路的第一端口与第二端口之间,并且其中所述开关电路另外包括
耦合在所述第一端口与第二端口之间的第一晶体管堆叠,其中所述第一晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以提供所述第一可变传导路径的第一多个晶体管,以及
与所述第一晶体管堆叠并联耦合在所述第一端口与第二端口之间的第二晶体管堆叠,其中所述第二晶体管堆叠包括串联耦合在所述第一端口与第二端口之间以提供所述第二可变传导路径的第二多个晶体管。
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