[发明专利]金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供了一种金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法，所述金属薄膜的制造方法包括：提供一衬底；执行第一温度成膜工艺，以形成第一金属薄膜于所述衬底上；以及，执行第二温度成膜工艺，以形成第二金属薄膜于所述第一金属薄膜上，所述第二温度高于所述第一温度，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜构成的金属薄膜为掺铜铝膜。本发明的技术方案能够避免金属薄膜出现铜析出的问题，从而避免导致对金属薄膜刻蚀时出现刻蚀残留。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法。

背景技术

目前，很多集成电路中会采用掺铜铝膜制作金属导电层，并且，若金属导电层为焊盘时，用于制作焊盘的金属薄膜要求很高的厚度。现有的制作金属薄膜的方法是将衬底在高温环境的成膜腔室中一次制作完成，而掺铜铝在高温下随着成膜厚度的积累，热积累就越多，严重影响金属薄膜的晶格大小，导致铝和铜形成固溶物，且在金属薄膜降温后固溶物中会有铜析出，导致后续对金属薄膜刻蚀形成焊盘时出现刻蚀残留的问题。参阅图1，在刻蚀金属薄膜形成焊盘11时，由于铜析出导致在衬底表面形成鼓包(Hillock)，阻碍了刻蚀的进行，从而导致在衬底表面形成刻蚀残留物12。

因此，如何对金属薄膜的制造方法进行改进，以避免出现刻蚀残留是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法，能够避免金属薄膜出现铜析出的问题，从而避免导致对金属薄膜刻蚀时出现刻蚀残留。

为实现上述目的，本发明提供了一种金属薄膜的制造方法，包括：

提供一衬底；

执行第一温度成膜工艺，以形成第一金属薄膜于所述衬底上；以及，

执行第二温度成膜工艺，以形成第二金属薄膜于所述第一金属薄膜上，所述第二温度高于所述第一温度，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜构成的金属薄膜为掺铜铝膜。

可选地，在执行所述第一温度成膜工艺之前，所述金属薄膜的制造方法还包括：

清洗所述衬底；以及，

烘干所述衬底。

可选地，烘干温度为200℃～300℃。

可选地，所述第一温度成膜工艺采用的温度为250℃～350℃。

可选地，所述第一温度成膜工艺采用的功率为4000W～10000W。

可选地，所述第二温度成膜工艺采用的温度为350℃～500℃。

可选地，所述第二温度成膜工艺采用的功率为8000W～10000W。

可选地，所述第一金属薄膜的厚度大于所述第二金属薄膜的厚度。

可选地，所述第一金属薄膜的厚度为所述第二金属薄膜的厚度为

可选地，采用物理气相沉积工艺执行所述第一温度成膜工艺和所述第二温度成膜工艺。

可选地，所述金属薄膜的制造方法还包括：

重复循环执行所述第一温度成膜工艺和所述第二温度成膜工艺，以形成具有设定厚度的所述金属薄膜。

可选地，在执行所述第一温度成膜工艺之后且在执行所述第二温度成膜工艺之前，所述金属薄膜的制造方法还包括：

执行第一次降温工艺，以使得所述衬底的温度降至20℃～30℃。

可选地，在执行所述第二温度成膜工艺之后，所述金属薄膜的制造方法还包括：

执行第二次降温工艺，以使得所述衬底的温度降至20℃～30℃。