[发明专利]金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110703929.0 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113436962A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张瑜 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种金属薄膜的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
执行第一温度成膜工艺，以形成第一金属薄膜于所述衬底上；以及，
执行第二温度成膜工艺，以形成第二金属薄膜于所述第一金属薄膜上，所述第二温度高于所述第一温度，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜构成的金属薄膜为掺铜铝膜。
2.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，在执行所述第一温度成膜工艺之前，所述金属薄膜的制造方法还包括：
清洗所述衬底；以及，
烘干所述衬底。
3.如权利要求2所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，烘干温度为200℃～300℃。
4.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一温度成膜工艺采用的温度为250℃～350℃。
5.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一温度成膜工艺采用的功率为4000W～10000W。
6.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第二温度成膜工艺采用的温度为350℃～500℃。
7.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第二温度成膜工艺采用的功率为8000W～10000W。
8.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一金属薄膜的厚度大于所述第二金属薄膜的厚度。
9.如权利要求8所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一金属薄膜的厚度为所述第二金属薄膜的厚度为
10.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺执行所述第一温度成膜工艺和所述第二温度成膜工艺。
11.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述金属薄膜的制造方法还包括：
重复循环执行所述第一温度成膜工艺和所述第二温度成膜工艺，以形成具有设定厚度的所述金属薄膜。
12.如权利要求1～11中任一项所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，在执行所述第一温度成膜工艺之后且在执行所述第二温度成膜工艺之前，所述金属薄膜的制造方法还包括：
执行第一次降温工艺，以使得所述衬底的温度降至20℃～30℃。
13.如权利要求12所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，在执行所述第二温度成膜工艺之后，所述金属薄膜的制造方法还包括：
执行第二次降温工艺，以使得所述衬底的温度降至20℃～30℃。
14.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求1至13中任一项所述的金属薄膜的制造方法制造金属薄膜于一衬底上；
刻蚀所述金属薄膜，以形成金属导电层。
15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属导电层为焊盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
