[发明专利]可挠式光感测面板及其制造方法有效
申请号: | 202110700647.5 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113506816B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 吴皇君;陈瑞沛 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠式光感测 面板 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种可挠式光感测面板,包括可挠性基板、波长转换层、光电转换层、中介层以及黏着层。波长转换层设置于可挠性基板上。光电转换层重叠设置于波长转换层,且位于可挠性基板与波长转换层之间。中介层设置于光电转换层与可挠性基板之间。黏着层设置于中介层与可挠性基板之间。可挠性基板与中介层的其中至少一者的玻璃转移温度大于150℃。一种可挠式光感测面板的制造方法亦被提出。
技术领域
本发明是有关于一种光感测面板及其制造方法,且特别是有关于一种可挠式光感测面板及其制造方法。
背景技术
光感测器的应用非常广泛。较常见的有数位相机或摄影机所使用的影像感测器,例如互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)影像感测器或电荷耦合元件(Charge-coupled Device,CCD)。除此之外,用于安检、工业检测或医疗诊察的非可见光(例如X射线)感测器,因其高附加价值而成为相关制造商的重点开发项目。其中一种适于安装在弯曲表面上的X射线感测器,更能满足不同应用情境下的使用需求。
由于这类X射线感测器需具有可挠性,因此其基板一般是使用高分子基板,例如聚乙烯对苯二甲酸酯(Polyethylene Terephthalate,PET)。然而,在这类X射线感测器的制造过程中,上述的高分子基板并无法承受波长转换层的热蒸镀制程的高温,因此容易在基板与功能性膜层之间形成皱褶,导致整体的生产良率无法提升。
发明内容
本发明提供一种可挠式光感测面板,其具有较佳的制程弹性。
本发明提供一种可挠式光感测面板的制造方法,其生产良率较佳。
本发明的可挠式光感测面板,包括可挠性基板、波长转换层、光电转换层、中介层以及黏着层。波长转换层设置于可挠性基板上。光电转换层重叠设置于波长转换层,且位于可挠性基板与波长转换层之间。中介层设置于光电转换层与可挠性基板之间。黏着层设置于中介层与可挠性基板之间。可挠性基板与中介层的其中至少一者的玻璃转移温度大于150℃。
本发明的可挠式光感测面板的制造方法,包括于暂时基板上依序形成中介层与光电转换层、进行热蒸镀制程,以形成波长转换层于光电转换层上、移除暂时基板,并暴露出中介层以及将可挠性基板贴附于中介层。中介层位于暂时基板与光电转换层之间。可挠性基板、中介层与暂时基板的其中至少一者的玻璃转移温度大于150℃。
基于上述,在本发明的一实施例的可挠式光感测面板的制造方法中,通过可挠式基板与暂时基板的至少一者的玻璃转移温度大于150℃,能避免可挠性基板与各膜层之间发生皱褶的现象,有助于提升可挠式感测面板的生产良率。另一方面,藉由中介层的设置,可增加各膜层于不同基板之间的转移成功率。换句话说,本发明的一实施例的可挠式光感测面板可具有较佳的制程弹性。
附图说明
图1是本发明的一实施例的可挠式光感测面板的剖视示意图。
图2A至图2G是图1的可挠式光感测面板的制造方法的流程剖视图。
图3A至图3D是图1的可挠式光感测面板的另一种制造方法的流程剖视图。
图4是本发明的另一实施例的可挠式光感测面板的剖视示意图。
图5是本发明的又一实施例的可挠式光感测面板的剖视示意图。
图6是本发明的再一实施例的可挠式光感测面板的剖视示意图。
图7A至图7C是图6的可挠式光感测面板的制造方法的流程剖视图。
其中,附图标记:
10、11、12A、12B:可挠式光感测面板
10M:可挠式光感测母板
50:滚轮装置
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的