[发明专利]半透明钙钛矿电池的制备方法和半透明钙钛矿电池在审
申请号: | 202110692484.0 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113497190A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 孙越;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半透明 钙钛矿 电池 制备 方法 | ||
1.一种半透明钙钛矿电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在透明基底上沉积透明导电氧化物层;
在所述透明导电氧化物层上沉积第一接触层;
在所述第一接触层上沉积钙钛矿吸收层;
在所述钙钛矿吸收层上沉积第二接触层;
在所述第二接触层上沉积透明导电电极;
在所述透明导电电极上沉积金属栅线。
2.如权利要求1所述的半透明钙钛矿电池的制备方法,其特征在于,所述在所述透明导电电极上沉积金属栅线的步骤,具体包括以下步骤:
在所述透明导电电极上通过电镀方式沉积金属栅线。
3.如权利要求2所述的半透明钙钛矿电池的制备方法,其特征在于,所述在所述透明导电电极上通过电镀方式沉积金属栅线的步骤,具体包括以下步骤:
在所述透明导电电极上沉积金属种子层,并在所述金属种子层上贴附光刻胶膜,以在所述金属种子层上盖上预设图形的掩模版;
对所述金属种子层上的光刻胶膜进行曝光、烘烤,再去除未被所述光刻胶膜覆盖的光刻胶区域,然后进行退火坚膜;
在覆有光刻胶的金属种子层上沉积金属电极;
撕掉覆盖在金属种子层上的光刻胶膜;
去除所述金属种子层,以得到金属栅线。
4.如权利要求1所述的半透明钙钛矿电池的制备方法,其特征在于,所述在所述第二接触层上沉积透明导电电极的步骤,具体包括以下步骤:
在所述第二接触层上通过CVD、热蒸发中的一种方式沉积透明导电电极。
5.如权利要求1至4任一项所述的半透明钙钛矿电池的制备方法,其特征在于,所述透明导电电极的高度在60-80nm范围内,所述金属栅线的高度在40-200mm范围内。
6.一种半透明钙钛矿电池,其特征在于,由下至上依次设置有:
透明基底;
透明导电氧化物层;
第一接触层;
钙钛矿吸收层;
第二接触层;
透明导电电极;
金属栅线。
7.如权利要求6所述的半透明钙钛矿电池,其特征在于,所述金属栅线的材料为金、银、铁、铜、铝、锡、铝、镍、锌中的至少一种。
8.如权利要求7所述的半透明钙钛矿电池,其特征在于,所述金属栅线的高度在40-200mm范围内。
9.如权利要求6所述的半透明钙钛矿电池,其特征在于,所述透明导电电极的材料为FTO氟掺氧化锡、ITO铟掺氧化锡、AZO铝掺氧化锌、ATO铝掺氧化锡、IGO铟掺氧化鎵、银、铜、铝、金中的至少一种。
10.如权利要求9所述的半透明钙钛矿电池,其特征在于,所述透明导电电极的高度在60-80nm范围内。
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