[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法

说明书

本公开涉及一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。可以提供一种半导体器件，其包括：基底层；被布置在基底层之上的绝缘层；至少部分地被布置在绝缘层内的存储器结构，其中该存储器结构包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间元件；以及至少部分地被布置在绝缘层内的电阻器，其中该电阻器被布置在与第一电极和第二电极中的一者基本上相同的水平平面中。

技术领域

本公开总体上涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法。

背景技术

电阻器通常用于实现半导体器件的某些功能并且改善这些器件的性能。例如，电阻器可以用在后段制程(BEOL)技术中，以实现更平衡的电阻器-电容器(RC)负载。通过在后段形成电阻器，与在前段形成电阻器相比，电阻器与半导体衬底之间的寄生电容耦合可以更低。

然而，将电阻器包括在半导体器件内的当前工艺通常是复杂的。例如，一些工艺可以包括使用若干掩模和多个蚀刻工艺。这可能影响制造工艺的产量和制造半导体器件的成本。

因此，期望提供一种包括电阻器的改善的半导体器件，其中半导体器件可以用更简单的工艺来制造。

发明内容

根据各种非限制性实施例，可以提供一种半导体器件，其包括：基底层；被布置在基底层之上的绝缘层；至少部分地被布置在绝缘层内的存储器结构，其中该存储器结构包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间元件；以及至少部分地被布置在绝缘层内的电阻器，其中该电阻器被布置在与第一电极和第二电极中的一者基本上相同的水平平面中。

根据各种非限制性实施例，可以提供一种用于制作半导体器件的方法。该方法可以包括：提供基底层；在基底层之上形成绝缘层；至少部分地在绝缘层内形成存储器结构，其中，该存储器结构可以包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间元件；以及至少部分地在绝缘层内形成电阻器，其中，电阻器被布置在与第一电极和第二电极中的一者基本上相同的水平平面中。

附图说明

在附图中，贯穿不同视图，相同的附图标记通常指代相同的部分。此外，附图不一定按比例绘制，而是通常将重点放在说明本发明的原理上。现在将仅参考以下附图来说明本发明的非限制性实施例，在附图中：

图1示出了根据各种非限制性实施例的半导体器件的简化截面图；

图2A至2F示出了根据各种非限制性实施例的用于制造图1的半导体器件的方法的简化截面图；

图3示出了根据替代的非限制性实施例的半导体器件的简化截面图；

图4A至4F示出了根据各种非限制性实施例的用于制造图3的半导体器件的方法的简化截面图；

图5示出了根据替代的非限制性实施例的半导体器件的简化截面图；

图6A至6F示出了根据各种非限制性实施例的用于制造图5的半导体器件的方法的简化截面图；

图7示出了根据替代的非限制性实施例的半导体器件的简化截面图；以及

图8A至8F示出了根据各种非限制性实施例的用于制造图7的半导体器件的方法的简化截面图。

具体实施方式

本实施例总体上涉及半导体器件。更具体地，一些实施例涉及具有存储器区域和逻辑区域的半导体器件，其中存储器区域具有嵌入的存储器结构以及逻辑区域具有电阻器。半导体器件可用于若干应用中，诸如但不限于多媒体及通信应用。