[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基底层；

被布置在所述基底层之上的绝缘层；

至少部分地被布置在所述绝缘层内的存储器结构，其中所述存储器结构包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的中间元件；以及

至少部分地被布置在所述绝缘层内的电阻器，其中所述电阻器被布置在与所述第一电极和所述第二电极中的一者基本上相同的水平平面中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器的厚度近似等于被布置在与所述电阻器基本上相同的水平平面中的所述电极的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器被布置在与所述第二电极基本上相同的水平平面中；以及其中，所述半导体器件还包括至少部分地被布置在所述绝缘层内的接触，以及其中，所述电阻器被布置在所述接触之下并且邻接所述接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器被布置在与所述第一电极基本上相同的水平平面中；以及其中，所述半导体器件还包括至少部分地被布置在所述基底层内的接触，以及其中所述电阻器被布置在所述接触之上并且邻接所述接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器是第一电阻器，以及所述半导体器件还包括至少部分地被布置在所述绝缘层内并且在所述第一电阻器之上的第二电阻器，其中所述绝缘层的部分被布置在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一电阻器被布置在与所述第一电极基本上相同的水平平面中，以及其中，所述第二电阻器被布置在与所述第二电极基本上相同的水平平面中。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一电阻器的厚度近似等于所述第一电极的厚度，以及所述第二电阻器的厚度近似等于所述第二电极的厚度。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一电阻器的长度近似等于所述第二电阻器的长度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一电阻器和所述第二电阻器被布置在基本上相同的竖直平面中。

10.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

至少部分地被布置在所述基底层内的第一接触；

至少部分地被布置在所述绝缘层内的第二接触；以及

在所述第一接触与所述第二接触之间延伸的过孔；

其中，所述第一电阻器被布置在所述第一接触之上并且邻接所述第一接触，以及其中，所述第二电阻器被布置在所述第二接触之下并且邻接所述第二接触。

11.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一电阻器的长度不同于所述第二电阻器的长度。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二电阻器的长度小于所述第一电阻器的长度。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二电阻器至少与所述第一电阻器的中间部分重叠。

14.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：至少部分地被布置在所述绝缘层内的接触和过孔，其中，所述过孔电连接所述接触和所述第一电阻器，以及其中，所述第二电阻器被布置在所述接触之下并且邻接所述接触。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，还包括：至少部分地被布置在所述绝缘层内的附加接触；其中，所述第二电阻器在所述接触与所述附加接触之间并且在所述接触和所述附加接触之下延伸并邻接所述接触和所述附加接触。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器是平面的。