[发明专利]进液装置及半导体清洗设备在审
申请号: | 202110691026.5 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113414165A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 杨树国;张虎;张明 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 半导体 清洗 设备 | ||
本发明提供一种进液装置和半导体清洗设备,其中,进液装置用于向半导体清洗设备的清洗槽中输送工艺液体,其包括储液容器、进液管路、液体压力调节单元和控制单元;其中,储液容器用于存储工艺液体;进液管路分别与储液容器和清洗槽连接,用于将储液容器中的工艺液体输送至中清洗槽中;液体压力调节单元与进液管路连接,用于将储液容器中的工艺液体抽出,并调节进液管路内的液体压力;控制单元用于根据预设条件控制液体压力调节单元调节进液管路内的液体压力。本发明提供的进液装置和半导体清洗设备能够根据预设条件自动调节半导体清洗设备的进水压力,从而能够针对满足不同预设条件的不同晶圆的清洗工艺进水压力进行调节,进而提高清洗效率。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种进液装置及半导体清洗设备。
背景技术
在半导体制造中,对晶圆进行清洗是至关重要的一步,其通过采用药液清洗晶圆并去除晶圆表面的杂质,再采用去离子水喷淋晶圆以去除残留的药液,从而使晶圆表面变洁净,以便于后续的工艺步骤。
目前,晶圆清洗工艺中通常采用快排冲洗槽进行去离子水喷淋晶圆的步骤。具体的,快排冲洗槽通常由喷淋槽、溢流槽、匀流板、用于快速开启喷淋槽下方的排液口的快排汽缸、去离子水(DIW)喷淋的喷嘴喷管、管路和管件等部件组成,去离子水由设置在喷淋槽顶部喷嘴喷入喷淋槽,并由被快速开启的排液口排出,从而实现去离子水的快速注入与排放。但现有的快排冲洗槽的去离子水喷淋管路中的液体压力通常由操作人员通过控制调压阀进行手动调整,效率低且不准确,而且不同厚度的晶圆需要不同的清洗压力,而现有的去离子水喷淋管路中的液体压力通常不会根据晶圆厚度调整,这会造成晶圆表面受损伤或者晶圆清洗不充分等问题,严重影响产品质量。
另外,现有的喷淋管路通常由厂务管路供水,而由于厂务管路的水压通常要低于喷淋所需进水压力,这会导致用于清洗晶圆的水流压力不足,进而造成晶圆清洗不充分。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种进液装置及半导体清洗设备,其能够根据预设条件自动调节半导体清洗设备的进水压力,从而能够针对满足不同预设条件的不同晶圆的清洗工艺进液压力进行调节,进而提高清洗效率。
为实现本发明的目的而提供一种半导体清洗设备的进液装置,用于向所述半导体清洗设备的清洗槽中输送工艺液体,其特征在于,包括储液容器、进液管路、液体压力调节单元和控制单元;其中,
所述储液容器用于存储所述工艺液体;
所述进液管路分别与所述储液容器和所述清洗槽连接,用于将所述储液容器中的所述工艺液体输送至中所述清洗槽中;
所述液体压力调节单元与所述进液管路连接,用于将所述储液容器中的所述工艺液体抽出,并调节所述进液管路内的液体压力;
所述控制单元用于根据预设条件控制所述液体压力调节单元调节所述进液管路内的液体压力。
可选的,所述液体压力调节单元包括进液泵,
所述进液泵的进液口与所述储液容器的出液口连接,所述进液泵的出液口与所述进液管路连接,用于抽出所述储液容器中的所述工艺液体,并将所述工艺液体输送至所述进液管路中;
所述进液泵还用于通过改变自身输出压力调节所述进液管路内液体压力。
可选的,所述液体压力调节单元还包括信号接收器,所述信号接收器用于接收由所述控制单元发出的调节信号,并根据所述调节信号调节所述进液泵的输出压力。
可选的,所述信号接收器包括变频器,所述进液泵基于所述变频器输入的不同频率输出不同的输出压力;和/或所述进液泵包括磁力泵。
可选的,还包括检测单元,所述检测单元用于实时检测所述清洗槽的当前进液压力,并将所述当前进液压力值发送至所述控制单元。
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