[发明专利]一种25G DFB激光器高频互联方法

权利要求书

1.一种25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)对陶瓷基板微带线的形状尺寸、DFB激光二极管芯片贴装位置、键合金线的几何形状尺寸、驱动源和负载终端阻抗值中的一种或多种进行设计；

(2)建立DFB激光二极管芯片的高频3D结构HFSS仿真模型，通过仿真模型验证步骤(1)的一种或多种设计，然后优化设计参数。

2.根据权利要求1所述的25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：步骤(1)中陶瓷基板微带线包括左侧微带线和右侧微带线，所述左侧微带线和右侧微带线为非对称设计，其断开处缝隙的左端边缘在陶瓷基板对称中心线的右侧，左侧微带线90度转角处的倒角大于右侧微带线90度转角处的倒角；左侧微带线和右侧微带线的入口处作加宽。

3.根据权利要求1所述的25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：步骤(1)中DFB激光二极管芯片贴装在左侧微带线上，DFB激光二极管芯片发光条的中线对准陶瓷基板的对称中线，DFB激光二极管芯片右侧边缘进入左侧微带线和右侧微带线之间的缝隙。

4.根据权利要求1所述的25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：步骤(1)中键合金线从DFB激光二极管芯片阳极打线盘连接到右侧微带线，键合金线为两条，两条键合金线之间有夹角。

5.根据权利要求1所述的25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：步骤(1)提高驱动源的阻抗值和负载终端阻抗值降低等效负载的阻抗偏离值。

6.根据权利要求1所述的25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：步骤(1)中陶瓷基板上左侧微带线和右侧微带线断开处缝隙位置使DFB激光二极管芯片贴装后其发光条中心线处在管座的中心轴线上，并根据激光二极管芯片在贴装后能使高频互联的回波损耗最优确定贴装位置。

7.根据权利要求1所述的25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：步骤(1)对陶瓷基板承载基座和管座面的结合处的倒角造成陶瓷基板和管座面之间的缝隙引起的寄生感抗通过调整高频陶瓷基板微带线入口处的几何形状补偿。

8.根据权利要求1所述的25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：步骤(2)中的仿真模型具有25G DFB激光二极管芯片的实际外形和尺寸并概括了激光二极管芯片的层结构；包括上电极镀金层(21)、BCB钝化层(25)、SiO2钝化层(26)、p+-镓铟砷欧姆接触层(23)、p-铟磷包层(24)、光栅层(27)、MQW层(28)、n型衬底层(29)和下电极镀金层(22)；所述p+-镓铟砷欧姆接触层(23)、p-铟磷包层(24)形成脊型凸台埋在BCB钝化层(25)和SiO2钝化层(26)中。

9.根据权利要求8所述的25G DFB激光器高频互联方法，其特征在于：步骤(2)中的仿真模型简化为绝缘区域、MQW区域、MQW区域上方导电区域和MQW区域下方的导电区域；所述绝缘区域包括BCB钝化层(25)和SiO2钝化层(26)，MQW区域上方导电区域包括脊型凸台和光栅层(27)，MQW区域下方的导电区域包括衬底层(29)；所述MQW区域上方导电区域和MQW区域下方的导电区域的导电率决定25G DFB激光二极管芯片的电阻值。