[发明专利]气体回收装置、半导体制造系统及气体回收方法

说明书

实施方式提供一种可从总流量较多的气体中有效将回收对象气体回收的气体回收装置、半导体制造系统及气体回收方法。根据一实施方式，气体回收装置具备框体与管。框体中设置着流入口，流入气体；第1排出口，将气体中包含回收对象气体的第1气体排出；及第2排出口，将气体中第1气体以外的第2气体排出。框体的内部经由第1排出口排气。管在框体的内部从流入口设置到第2排出口，且第1气体的透过性较高，第2气体的透过性较低。

相关申请

本申请享受将日本专利申请2020-150742号(申请日：2020年9月8日)作为基础申请的优先权。本申请通过参考所述基础申请，而包含基础申请的所有内容。

技术领域

本实施方式涉及一种气体回收装置、半导体制造系统及气体回收方法。

背景技术

半导体工艺中产生的废气包含少量氦气，但因添加防爆用的稀释气体及无害化用的燃烧气体而难以从总流量增加的废气中回收氦气。

发明内容

本发明想要解决的问题在于提供一种可从总流量较多的气体中有效地将回收对象气体回收的气体回收装置、半导体制造系统及气体回收方法。

本实施方式的气体回收装置具备框体、与管。框体中设置着：流入口，流入气体；第1排出口，将气体中包含回收对象气体的第1气体排出；及第2排出口，将气体中第1气体以外的第2气体排出。框体的内部经由第1排出口排气。管在框体的内部从流入口设置到第2排出口，且第1气体的透过性较高，第2气体的透过性较低。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体制造系统的图。

图2是表示第2实施方式的半导体制造系统中的气体回收装置的图。

图3是表示第3实施方式的半导体制造系统中的气体回收装置的图。

图4是表示第4实施方式的半导体制造系统中的泵的图。

具体实施方式

以下，参考附图说明本发明的实施方式。在图1到图4中，对相同或类似的构成标注相同符号，省略重复的说明。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式的半导体制造系统1的图。如图1所示，第1实施方式的半导体制造系统1具备工艺装置2、第1泵3、稀释气体供给装置4、除害装置5、气体回收单元6、及第2泵7。

工艺装置2使用包含回收对象气体的工艺气体制造半导体装置，并将因制造半导体装置而产生的废气排出。废气包含工艺气体中未用于反应的气体、或作为工艺气体反应的结果而产生的副产气体。回收对象气体为例如稀有气体。稀有气体也可为氦气。废气中除了回收对象气体以外，还包含例如硅烷气体、氨气、氩气等。

第1泵3在气体的下游侧经由配管8连接到工艺装置2。第1泵3通过将工艺装置2的内部排气，而从工艺装置2吸引废气，并将吸引到的废气排出到下游侧。

稀释气体供给装置4在气体的下游侧经由配管8连接到第1泵3。稀释气体供给装置4具有设置在第1泵3下游的配管8上的阀41、及连接到阀41的气体源42。为了确保包含可燃气体的废气的防爆，稀释气体供给装置4通过在开启阀41的状态下从气体源42将稀释气体供给到第1泵3下游的配管8，而稀释第1泵3下游的废气。稀释气体为例如氮气。从稀释气体供给装置4供给的稀释气体的流量也可比从工艺装置2排出的废气的流量更多。

除害装置5在气体的下游侧经由配管8连接到稀释气体供给装置4。除害装置5对稀释后的废气，从气体源51添加氧气，并使用氧气使废气燃烧。通过使废气燃烧，从废气中去除有害气体，而将废气无害化。例如，除害装置5通过从废气中去除硅烷气体及氨气而将废气无害化。在除害装置5中，添加到废气的氧气的流量也可比从工艺装置2排出的废气的流量更多。