[发明专利]气体回收装置、半导体制造系统及气体回收方法在审
申请号: | 202110689576.3 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN114146526A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 松原雄也 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | B01D53/00 | 分类号: | B01D53/00;F23G7/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 回收 装置 半导体 制造 系统 方法 | ||
1.一种气体回收装置,其具备:
框体,设置着流入口,流入气体;第1排出口,将所述气体中包含回收对象气体的第1气体排出;及第2排出口,将所述气体中所述第1气体以外的第2气体排出;且所述框体的内部经由所述第1排出口排气;及
管,在所述框体的内部从所述流入口设置到所述第2排出口,且所述第1气体的透过性较高,所述第2气体的透过性较低。
2.根据权利要求1所述的气体回收装置,其中所述管从所述流入口螺旋状地设置到所述第2排出口。
3.根据权利要求1所述的气体回收装置,其中所述管以从所述流入口到所述第2排出口具有折返部的方式设置。
4.根据权利要求1所述的气体回收装置,其还具备连接到所述第1排出口的泵。
5.根据权利要求4所述的气体回收装置,其中所述泵经由所述第1排出口将所述框体内部排气,由此以在所述框体的内部所述管的外部压力比所述管的内部压力更低的方式,使所述管的内部与外部之间产生压力差;
所述第1气体通过所述压力差从所述管的内部透过到外部并从所述第1排出口排出。
6.根据权利要求5所述的气体回收装置,其中所述泵以将所述框体的内部设为真空状态的方式进行排气。
7.根据权利要求5所述的气体回收装置,其中所述回收对象气体根据以下算式从所述管的内部透过到外部
V=(A×ΔP×L×S)/d,其中
V:回收对象气体相对于管的透过量
A:回收对象气体相对于管的透过系数
ΔP:管的内部与外部之间的压力差
L:管的长度
S:管内的气体流路的剖面积
d:管的内半径与外半径的差。
8.根据权利要求4所述的气体回收装置,其中所述泵使用与所述回收对象气体相同种类的气体作为密封气体。
9.根据权利要求4所述的气体回收装置,其中所述泵朝所述回收对象气体的精制线排出所述第1气体。
10.根据权利要求1所述的气体回收装置,其中所述管含有多孔质材料。
11.根据权利要求10所述的气体回收装置,其中所述管含有有机材料。
12.根据权利要求11所述的气体回收装置,其中所述管含有氟树脂。
13.根据权利要求12所述的气体回收装置,其中所述第1气体包含所述气体中分子量较小且扩散系数较高或者对所述管材的溶解度较高的气体。
14.根据权利要求1所述的气体回收装置,其中所述回收对象气体为稀有气体。
15.根据权利要求1所述的气体回收装置,其中流入到所述流入口的气体是从半导体制造装置排出的废气。
16.一种半导体制造系统,其具备:
半导体制造装置,使用包含回收对象气体的工艺气体制造半导体装置,且将因制造所述半导体装置而产生的废气排出;
稀释装置,以稀释气体稀释所述废气;
除害装置,使用氧气使所述稀释后的废气燃烧,由此将所述废气无害化;及
气体回收装置,从所述经无害化后的废气将所述回收对象气体回收;且
所述气体回收装置具备:
框体,设置着流入口,流入所述经无害化后的废气;第1排出口,将所述经无害化后的废气中包含所述回收对象气体的第1气体排出;及第2排出口,将所述经无害化后的废气中所述第1气体以外的第2气体排出;且所述框体的内部经由所述第1排出口排气;及
管,在所述框体的内部从所述流入口设置到所述第2排出口,所述第1气体的透过性较高,所述第2气体的透过性较低。
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