[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110688897.1 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113140464A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王维安;蒲甜松;陈信全 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底上形成有栅极；
形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极的侧壁；
形成具有设定厚度的牺牲氧化层，所述牺牲氧化层覆盖所述基底、所述栅极和所述第一侧墙；
形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层遮蔽所述栅极和部分所述基底，并暴露出与所述第一侧墙相接的所述基底上的部分所述牺牲氧化层；
以所述图案化光刻胶层和所述第一侧墙为阻挡，对所述基底执行第一离子注入工艺，以在所述栅极两侧的所述基底中形成轻掺杂漏结构；
去除所述图案化光刻胶层，并同时消耗去除所述牺牲氧化层；
形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度范围为：40埃~60埃。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的材质包括正硅酸乙酯。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述基底中还形成有浅沟槽隔离结构，所述牺牲氧化层覆盖所述浅沟槽隔离结构。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一侧墙包括第一氧化层和第一氮化层，且所述第一氧化层和所述第一氮化层依次覆盖所述栅极的侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二侧墙包括正硅酸乙酯层和第二氮化层，且所述正硅酸乙酯层和所述第二氮化层依次覆盖所述第一侧墙。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述基底与所述栅极之间还形成有第二氧化层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述第二侧墙之后，所述半导体器件的制备方法还包括：
以所述第一侧墙和所述第二侧墙为阻挡，对所述基底执行第二离子注入工艺，以在所述栅极两侧的所述基底中形成源极和漏极。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用湿法清洗去除所述图案化光刻胶层，并同时消耗去除所述牺牲氧化层。
10.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1~9中任一项所述的半导体器件的制备方法制备，所述半导体器件包括：
一基底，所述基底上形成有栅极；
第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极的侧壁；
第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙；
其中，在形成所述第二侧墙之前，所述基底、所述栅极和所述第一侧墙表面还覆盖有具有设定厚度的牺牲氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
