[发明专利]封装结构、封装基板及其制造方法在审
申请号: | 202110687611.8 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN115579294A | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 庄瑞槟 | 申请(专利权)人: | 碁鼎科技秦皇岛有限公司;礼鼎半导体科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 关雅慧;习冬梅 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
本申请提出一种封装基板,包括线路层、防焊层及阻挡结构,所述线路层具有封装区,所述防焊层设置于所述线路层上,所述封装区对应的所述防焊层设置有多个开孔,部分所述线路层于所述开孔的底部露出,所述阻挡结构设置于所述防焊层上,所述阻挡结构避开所述封装区。本申请提供的封装基板通过在防焊层上电镀形成电镀层,以及在电镀层上电镀形成第一阻挡部的方式形成所述阻挡结构,该阻挡结构与防焊层结合力强,有利于减少阻挡结构的截面宽度,从而可以预留出更多的空间以布局其他电子元件。另外,本申请还提供一种封装基板的制造方法。另外本申请还提供一种封装结构。
技术领域
本申请涉及一种封装结构、封装基板及其制造方法。
背景技术
现有的芯片封装制程中,通常需要在封装基板的表面制作两层防焊层,第一层防焊层用于定义出封装基板上的接触垫,第二防焊层形成在第一防焊层上,并环绕芯片封装区域,以在封装芯片时起到堤坝作用,防止芯片及第一防焊层之间的焊料溢出。然而,由于第二防焊层是形成在一次防焊上,附着力较弱,往往要求第二防焊层具有较大的线宽(例如,大于100微米)才内实现有效的附着,但是较大的线宽不利于布置其他电子元件。
发明内容
为解决现有技术中涉及的问题,本申请提供一种封装基板。
另外,还有必要提供一种形成上述封装基板的制造方法。
另外,还有必要提供一种具有上述封装基板的封装结构。
一种封装基板的制造方法,包括步骤:提供一电路基板,所述电路基板包括线路层及设置于所述线路层上的一第一防焊层,所述线路层具有封装区,与所述封装区对应的所述第一防焊层贯穿设置多个第一开孔,部分所述线路层于所述第一开孔的底部露出。于所述第一防焊层上电镀形成一电镀层。于所述电镀层上设置第二防焊层,所述第二防焊层贯穿设置有多个第二开孔,沿所述电路基板的厚度方向,所述第二开孔的投影与所述封装区的投影不重合,部分所述电镀层于所述第二开孔的底部露出。于所述第二开孔内设置第一阻挡部,所述电镀层包括被所述第一阻挡部覆盖的第二阻挡部和除所述第二阻挡部的待移除部。移除所述第二防焊层和所述待移除部,所述第一阻挡部和所述第二阻挡部共同形成一阻挡结构,从而获得所述封装基板。
进一步地,所述电镀层还设置于所述第一开孔的内周,所述制造方法还包括:
移除设置于所述第一开孔内周的所述电镀层。
进一步地,所述电路基板的制造方法包括:提供一线路层。于所述线路层上设置第一感光树脂层。移除与所述第一开孔对应的所述第一感光树脂层以形成所述第一防焊层,获得所述电路基板。
进一步地,步骤“于所述电镀层上设置第二防焊层”包括:于所述电镀层上设置一第二感光树脂层。移除与所述第二开孔对应的所述第二感光树脂层以形成所述第二防焊层。
一种封装基板,包括线路层、防焊层及阻挡结构,所述线路层具有封装区,所述防焊层设置于所述线路层上,与所述封装区对应的所述防焊层设置有多个开孔,部分所述线路层于所述开孔的底部露出,所述阻挡结构设置于所述防焊层上,沿所述封装基板的厚度方向,所述阻挡结构的投影与所述封装区的投影不重合,所述阻挡结构包括第一阻挡部和第二阻挡部,所述第二阻挡部连接于所述防焊层和所述第一阻挡部之间。
进一步地,所述第一阻挡部及所述第二阻挡部的材质包括金、银、铜、铝中的任意一种。
进一步地,所述阻挡结构设置于所述封装区的周围。
进一步地,所述阻挡结构的横截面宽度为10~20微米。
一种封装结构,包括芯片、导通体、填充体及如上所述的封装基板,所述芯片设置于所述封装区对应的所述防焊层上,所述导通体设置于所述开孔内,所述导通体包括第一端及与所述第一端相对的第二端,所述第一端电性连接所述芯片,所述第二端电性连接所述线路层,所述填充体设置于所述芯片及所述防焊层之间的间隙内,所述阻挡结构用于阻挡所述填充体流出所述封装区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造