[发明专利]封装结构、封装基板及其制造方法在审
申请号: | 202110687611.8 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN115579294A | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 庄瑞槟 | 申请(专利权)人: | 碁鼎科技秦皇岛有限公司;礼鼎半导体科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 关雅慧;习冬梅 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:
提供一电路基板,所述电路基板包括线路层及设置于所述线路层上的一第一防焊层,所述线路层具有封装区,与所述封装区对应的所述第一防焊层贯穿设置多个第一开孔,部分所述线路层于所述第一开孔的底部露出;
于所述第一防焊层上电镀形成一电镀层;
于所述电镀层上设置第二防焊层,所述第二防焊层贯穿设置有多个第二开孔,沿所述电路基板的厚度方向,所述第二开孔的投影与所述封装区的投影不重合,部分所述电镀层于所述第二开孔的底部露出;
于所述第二开孔内设置第一阻挡部,所述电镀层包括被所述第一阻挡部覆盖的第二阻挡部和除所述第二阻挡部的待移除部;
移除所述第二防焊层和所述待移除部,所述第一阻挡部和所述第二阻挡部共同形成一阻挡结构,从而获得所述封装基板。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述电镀层还设置于所述第一开孔的内周,所述制造方法还包括:
移除设置于所述第一开孔内周的所述电镀层。
3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述电路基板的制造方法包括:
提供一线路层;
于所述线路层上设置第一感光树脂层;
移除与所述第一开孔对应的所述第一感光树脂层以形成所述第一防焊层,获得所述电路基板。
4.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,步骤“于所述电镀层上设置第二防焊层”包括:
于所述电镀层上设置一第二感光树脂层;
移除与所述第二开孔对应的所述第二感光树脂层以形成所述第二防焊层。
5.一种封装基板,其特征在于,包括线路层、防焊层及阻挡结构,所述线路层具有封装区,所述防焊层设置于所述线路层上,与所述封装区对应的所述防焊层设置有多个开孔,部分所述线路层于所述开孔的底部露出,所述阻挡结构设置于所述防焊层上,沿所述封装基板的厚度方向,所述阻挡结构的投影与所述封装区的投影不重合,所述阻挡结构包括第一阻挡部和第二阻挡部,所述第二阻挡部连接于所述防焊层和所述第一阻挡部之间。
6.如权利要求5所述的封装基板,对其特征在于,所述第一阻挡部及所述第二阻挡部的材质包括金、银、铜、铝中的任意一种。
7.如权利要求5所述的封装基板,其特征在于,所述阻挡结构设置于所述封装区的周围。
8.如权利要求5所述的封装基板,其特征在于,所述阻挡结构的横截面宽度为10~20微米。
9.一种封装结构,其特征在于,包括芯片、导通体、填充体及如权利要求5至8任意一项所述的封装基板,所述芯片设置于所述封装区对应的所述防焊层上,所述导通体设置于所述开孔内,所述导通体包括第一端及与所述第一端相对的第二端,所述第一端电性连接所述芯片,所述第二端电性连接所述线路层,所述填充体设置于所述芯片及所述防焊层之间的间隙内,所述阻挡结构用于阻挡所述填充体流出所述封装区。
10.如权利要求9所述的封装结构,其特征在于,所述阻挡结构的高度大于或者等于所述填充体的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造