[发明专利]一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路

权利要求书

1.一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路，包括电源VDD，偏置电流I_BIAS，负载电流I_LOAD，PMOS管M1、M2、M3、M4、POWER，NMOS管M5、M6，电阻R2，封装打线电阻R3、R4，打线VOUTAPAD、VOUTP PAD，芯片管脚VOUT，其特征在于：电源VDD的正端接VIN，负端接GND，GND接大地；PMOS管M1、M2、M3、M4、POWER的源极均接VIN，M1的栅极和漏极短接，且与M2、M3的栅极一起接偏置电流I_BIAS的正端，I_BIAS负端接GND；NMOS管M5的栅极和漏极短接，NMOS管M6的栅极、M2的漏极与之相连，M6的漏极与M3的漏极相连，并且接PMOS管M4的栅极；M4的漏极接POWER的栅极PG，POWER的漏极和M5的漏极都接到VOUTP PAD，M6的漏极接电阻R2的一端，R2的另一端接VOUTA PAD；打线电阻R3的一端接VOUTA PAD，打线电阻R4的一端接VOUTP PAD，R4和R3的另一端接芯片输出管脚VOUT，负载电流I_LOAD的正端接VOUT，负端接GND。

2.根据权利要求1所述的一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路，其特征在于：M1、M2、M3为电流镜，宽长比相同，镜像电流相等为I_BIAS。

3.根据权利要求1所述的一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路，其特征在于：M5和M6的栅极接在同一电位，且宽长比相同。

4.根据权利要求1所述的一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路，其特征在于：R3和R4分别为VOUTA PAD、VOUTP PAD至芯片管脚VOUT的打线电阻。

5.根据权利要求1所述的一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路，其特征在于：打线电阻R4的流过电流为M5和POWER电流之和。

6.根据权利要求1所述的一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路，其特征在于：POWER为功率管，用于驱动负载电流，其栅极为运算放大器输出。

7.根据权利要求1所述的一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路，其特征在于：M4为过流保护控制管。