[发明专利]一种改善金属功函数边界效应的方法

权利要求书

1.一种改善金属功函数边界效应的方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供位于同一基底上依次排列的第一至第四Fin结构；在所述第一至第四Fin结构上同步沉积第一TiN层；并且所述第二、第三Fin结构上的所述第一TiN层连续分布；

步骤二、光刻、刻蚀去除所述第三Fin结构上的所述第一TiN层；并且被去除的所述第一TiN层的边缘位于所述第二、第三Fin结构之间中线处向所述第二Fin结构推进第一距离之处；

步骤三、沉积第二TiN层，所述第二TiN层覆盖所述第一Fin结构、第二Fin结构上的所述第一TiN层、第三Fin结构以及所述第四Fin结构上的所述第一TiN层；并且所述第二Fin结构上的所述第二TiN层与所述第三Fin结构上的所述第二TiN层连续分布；

步骤四、光刻、刻蚀去除所述第二Fin结构上的所述第二、第一TiN层以及所述第二Fin结构；并且所述第二、第三Fin结构之间靠近所述第二Fin结构的部分所述第二TiN层被去除，被去除的所述第二TiN层的边缘从所述第二、第三Fin结构中线处向所述第二Fin结构推进第二距离；

步骤五、沉积第三TiN层；所述第三TiN层覆盖所述第一Fin结构的所述第二TiN层、所述第二Fin结构、所述第三Fin结构上的所述第二TiN层以及所述第四Fin结构上的所述第二TiN层；并且所述第二、第三Fin结构上的所述第三TiN层连续分布；

步骤六、刻蚀去除所述第一Fin结构以及所述第一Fin结构上的所述第一至第三TiN层。

2.根据权利要求1所述的改善金属功函数边界效应的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一Fin结构用于超低阈值电压N型管；所述第二Fin结构用于标准阈值电压N型SRAM；所述第三Fin结构用于标准阈值电压P型SRAM；所述第四Fin结构用于超低阈值电压P型管。

3.根据权利要求1所述的改善金属功函数边界效应的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、第二Fin结构上的所述第一TiN层不连续分布；所述第三、第四Fin结构上的所述第一TiN层不连续分布。

4.根据权利要求1所述的改善金属功函数边界效应的方法，其特征在于：步骤三中的所述第一Fin结构上的所述第二TiN层在与所述第二Fin结构上的所述第二TiN层不连续分布。

5.根据权利要求1所述的改善金属功函数边界效应的方法，其特征在于：步骤三中的所述第四Fin结构上的所述第二TiN层与所述第三Fin结构上的所述第二TiN层不连续分布。

6.根据权利要求1所述的改善金属功函数边界效应的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一距离大于步骤四中的所述第二距离。

7.根据权利要求1所述的改善金属功函数边界效应的方法，其特征在于：步骤五中的所述第一Fin结构上的所述第三TiN层与所述第二Fin结构上的所述第三TiN层不连续分布。

8.根据权利要求1所述的改善金属功函数边界效应的方法，其特征在于：步骤五中的所述第三Fin结构上的所述第三TiN层与第四Fin结构上的所述TiN层不连续分布。