[发明专利]擦除尾比较器方案

权利要求书

1.一种在非易失性存储装置上执行擦除操作的方法，包括：

在所述擦除操作的多个擦除循环中的第一擦除循环中，向第一组非易失性存储元件施加第一擦除脉冲；

在施加所述第一擦除脉冲之后，确定所述第一组非易失性存储元件的阈值电压分布的上尾；

确定所述第一组非易失性存储元件的所述上尾与第二组非易失性存储元件的阈值电压分布的上尾之间的差值；以及

如果所述差值大于或等于所述阈值量，则在所述多个擦除循环中的第二擦除循环中禁用所述第一组非易失性存储元件上的所述擦除操作。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

如果所述差值小于阈值量，则在所述多个擦除循环中的所述第二擦除循环中向所述第一组非易失性存储元件施加第二擦除脉冲。

3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一组非易失性存储元件的所述阈值电压分布的所述上尾包括：

向所述第一组非易失性存储元件的一个或多个字线施加第一电压；

确定所述第一组非易失性存储元件中存储逻辑值的非易失性存储元件的数量；

基于存储所述逻辑值的非易失性存储元件的所述数量来确定所述阈值分布上的参考点；以及

将所述第一组非易失性存储元件的所述上尾识别为所述阈值分布上的所述参考点。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组非易失性存储元件布置在第一平面中，并且所述第二组非易失性存储元件布置在第二平面中。

5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：

如果所述差值大于或等于所述阈值量，则禁用所述第一平面上的所述擦除操作；以及

在所述第二平面上继续执行所述擦除操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组非易失性存储元件具有第一字线区，并且所述第二组非易失性存储元件具有第二字线区。

7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

如果所述差值大于或等于所述阈值量，则将包括所述第一组非易失性存储元件的块指定为所述擦除操作失败。

8.一种非易失性存储设备，包括：

一组非易失性存储元件；和

一个或多个管理电路，所述一个或多个管理电路与所述一组非易失性存储元件通信并且被配置为：

在所述擦除操作的多个擦除循环中的第一擦除循环中，向第一组非易失性存储元件施加第一擦除脉冲；

在施加所述第一擦除脉冲之后，确定所述第一组非易失性存储元件的阈值电压分布的上尾；

确定所述第一组非易失性存储元件的所述上尾与第二组非易失性存储元件的阈值电压分布的上尾之间的差值；以及

如果所述差值大于或等于所述阈值量，则在所述多个擦除循环中的第二擦除循环中禁用所述第一组非易失性存储元件上的所述擦除操作。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储设备，其中所述一个或多个管理电路被进一步配置为

如果所述差值小于阈值量，则在所述多个擦除循环中的所述第二擦除循环中向所述第一组非易失性存储元件施加第二擦除脉冲。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储设备，其中所述一个或多个管理电路被进一步配置为

向所述第一组非易失性存储元件的一个或多个字线施加第一电压；

确定所述第一组非易失性存储元件中存储逻辑值的非易失性存储元件的数量；

基于存储所述逻辑值的非易失性存储元件的所述数量来确定所述阈值分布上的参考点；以及

将所述第一组非易失性存储元件的所述上尾识别为所述阈值分布上的所述参考点。

11.根据权利要求8所述的非易失性存储设备，其中所述第一组非易失性存储元件布置在第一平面中，并且所述第二组非易失性存储元件布置在第二平面中。