[发明专利]一种稳压防漏电的碳化硅二极管

权利要求书

1.一种稳压防漏电的碳化硅二极管，其特征在于，包括阴极金属(1)、连接在所述阴极金属(1)上端的碳化硅衬底(2)、形成于所述碳化硅衬底(2)上端的碳化硅外延层(3)、连接在所述碳化硅外延层(3)上端的阳极金属(4)、SiO₂层(5)；

所述碳化硅衬底(2)上形成有第一凸起部(21)、第二凸起部(22)，所述第一凸起部(21)上设有第一沟槽，所述第二凸起部(22)上设有第二沟槽；

所述阳极金属(4)包括第一接触部(41)、第二接触部(42)、第三接触部(43)，所述第一接触部(41)位于所述第二接触部(42)与所述第三接触部(43)之间，所述第一接触部(41)下端与所述碳化硅外延层(3)之间形成第一肖特基势垒(61)，所述第二接触部(42)延伸至所述第一沟槽内侧，所述第二接触部(42)与所述第一沟槽的交接处形成第二肖特基势垒(62)，所述第三接触部(43)延伸至所述第二沟槽内侧，所述第三接触部(43)与所述第二沟槽的交接处形成第三肖特基势垒(63)；

所述第一肖特基势垒(61)底部与所述碳化硅外延层(3)下表面之间的距离为a，所述第二肖特基势垒(62)底部与所述碳化硅外延层(3)下表面之间的距离为b，所述第三肖特基势垒(63)底部与所述碳化硅外延层(3)下表面之间的距离为c，a＞b＝c；

所述碳化硅外延层(3)、碳化硅衬底(2)边缘还设有氧化膜(9)。

2.根据权利要求1所述的一种稳压防漏电的碳化硅二极管，其特征在于，所述第一肖特基势垒(61)边缘形成有第一p型保护环(71)，所述第二肖特基势垒(62)上端边缘形成有第二p型保护环(72)，所述第三肖特基势垒(63)上端边缘形成有第三p型保护环(73)。

3.根据权利要求1所述的一种稳压防漏电的碳化硅二极管，其特征在于，所述阴极金属(1)边缘还设有导热绝缘层(8)，所述导热绝缘层(8)连接在所述碳化硅衬底(2)下端。

4.根据权利要求1所述的一种稳压防漏电的碳化硅二极管，其特征在于，所述氧化膜(9)为等离子微弧氧化膜。

5.根据权利要求1所述的一种稳压防漏电的碳化硅二极管，其特征在于，所述第一凸起部(21)、第二凸起部(22)边缘为弧形结构。

6.根据权利要求1所述的一种稳压防漏电的碳化硅二极管，其特征在于，所述第二接触部(42)、第三接触部(43)的下端边角均为R角结构。

7.根据权利要求1所述的一种稳压防漏电的碳化硅二极管，其特征在于，所述碳化硅衬底(2)的厚度低于120nm。