[发明专利]具有挡板结构的半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：衬底上的存储器堆叠，所述存储器堆叠包括栅电极、绝缘层和模制层，所述模制层在贯通电极区域中被设置在与所述栅电极相同的水平高度处；沟道结构，在单元阵列区域中竖直地延伸穿过所述栅电极；以及挡板结构，在顶视图中被设置在隔离绝缘层之间并且围绕所述贯通电极区域。所述挡板结构包括具有挡板形状的挡板绝缘层、所述挡板绝缘层内部的内部绝缘层、以及所述挡板绝缘层外部的外部绝缘层。所述内部绝缘层包括在水平方向上突出的第一突出部，并且所述外部绝缘层包括在所述水平方向上突出的第二突出部。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年10月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0143042的优先权，该申请的公开内容通过全文引用合并于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及具有挡板结构的半导体器件。

背景技术

在电子行业中，具有存储器件的集成电路器件在容量上不断增大并且变得高度集成。此外，存储单元在尺寸上变得更小，并且存储器件中所包括的操作电路和布线结构变得越来越复杂。因此，需要包括具有高度集成的结构和良好的电气特性的存储器件在内的集成电路器件。

为了电子产品的轻便、纤薄、简易、小型化和高集成度，已经提出了具有多堆叠结构的三维非易失性存储器件。这样的非易失性存储器件包括栅电极和贯通电极。

发明内容

本公开的示例实施例提供了具有包括突出部的挡板结构在内的半导体器件。

根据本公开的示例实施例的半导体器件可以包括：包括单元阵列区域和扩展区域的衬底，所述扩展区域包括贯通电极区域；以及存储器堆叠，存储器堆叠在所述衬底上并且包括栅电极、绝缘层和模制层，所述栅电极和所述绝缘层被依次堆叠，所述模制层包括绝缘材料并且在所述贯通电极区域中被设置在与所述栅电极相同的水平高度处。所述半导体器件还可以包括：沟道结构，在所述单元阵列区域中竖直地延伸穿过所述栅电极；隔离绝缘层，竖直地延伸穿过所述存储器堆叠并且在第一水平方向上延伸，所述隔离绝缘层在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此间隔开；以及挡板结构，在顶视图中被设置在隔离绝缘层之间并且围绕所述贯通电极区域。所述挡板结构可以包括：具有挡板形状的挡板绝缘层、所述挡板绝缘层内部的内部绝缘层、以及所述挡板绝缘层外部的外部绝缘层。所述内部绝缘层可以包括在水平方向上突出的第一突出部，并且所述外部绝缘层可以包括在水平方向上突出的第二突出部。

根据本公开的示例实施例的半导体器件可以包括：包括单元阵列区域和扩展区域的衬底，所述扩展区域包括贯通电极区域；所述衬底上的下存储器堆叠，所述下存储器堆叠包括下栅电极、下绝缘层和下模制层，所述下栅电极和所述下绝缘层被依次堆叠，所述下模制层包括绝缘材料并且在所述贯通电极区域中被分别设置在与所述下栅电极相同的水平高度处；以及所述下存储器堆叠上的上存储器堆叠，所述上存储器堆叠包括上栅电极、上绝缘层和上模制层，所述上栅电极和所述上绝缘层被依次堆叠，所述上模制层包括绝缘材料并且在所述贯通电极区域中被分别设置在与所述上栅电极相同的水平高度处。所述半导体器件还可以包括：沟道结构，在所述单元阵列区域中竖直地延伸穿过所述栅电极；隔离绝缘层，竖直地延伸穿过所述下存储器堆叠和所述上存储器堆叠并且在第一水平方向上延伸，所述隔离绝缘层在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此间隔开；以及挡板结构，在顶视图中被设置在隔离绝缘层之间并且围绕所述贯通电极区域。所述挡板结构可以包括：具有挡板形状的挡板绝缘层、所述挡板绝缘层内部的内部绝缘层、以及所述挡板绝缘层外部的外部绝缘层。所述内部绝缘层可以包括在水平方向上突出的第一突出部，并且所述外部绝缘层可以包括在水平方向上突出的第二突出部。