[发明专利]一种滤波型强瞬态电磁脉冲防护结构

权利要求书

1.一种滤波型强瞬态电磁脉冲防护结构，其特征在于，包括：金属屏蔽盒体(1)、射频滤波电路组件(2)、初级高脉冲能量吸收模块(31)、次级高脉冲能量吸收模块(32)和精细级脉冲能量吸收模块(33)；

所述金属屏蔽盒体(1)内设置有金属内腔(11)，且所述金属屏蔽盒体(1)设置有连通至所述金属内腔(11)内的射频输入端(12)和射频输出端(13)；所述金属屏蔽盒体(1)和其内部的所述金属内腔(11)整体均呈方形；所述金属屏蔽盒体(1)包括一侧端面设有开口的金属本体(14)和可拆卸盖接于所述金属本体(14)开口处的金属盖板(15)；通过拆卸所述金属盖板(15)，调节所述金属内腔(11)中的所述射频滤波电路组件(2)中参数，对带宽进行调节；

所述射频滤波电路组件(2)包括基板(20)、设置于所述基板(20)下的多节LC并联谐振电路(24)和设置于所述基板(20)上的多节LC串联谐振电路(25)，所述射频滤波电路组件(2)的中部为一节LC并联谐振电路(24)，且所述射频滤波电路组件(2)是以所述一节LC并联谐振电路(24)对称设置的滤波网络；

所述射频滤波电路组件(2)电连接于所述射频输入端(12)和所述射频输出端(13)之间，所述射频滤波电路组件(2)至少包括5节LC谐振滤波电路；所述LC谐振滤波电路包括LC并联谐振电路(24)与LC串联谐振电路(25)；

所述初级高脉冲能量吸收模块(31)、所述次级高脉冲能量吸收模块(32)和所述精细级脉冲能量吸收模块(33)可拆装设于所述基板(20)的下方和所述金属屏蔽盒体(1)的金属本体(14)内侧底壁之间并沿所述射频输入端(12)至所述射频输出端(13)之间连接；

所述射频滤波电路组件(2)在所述初级高脉冲能量吸收模块(31)和所述次级高脉冲能量吸收模块(32)之间的LC谐振滤波电路构成一级滤波网络(21)，所述射频滤波电路组件(2)在所述次级高脉冲能量吸收模块(32)和所述精细级脉冲能量吸收模块(33)之间的LC谐振滤波电路构成二级滤波网络(22)，所述射频滤波电路组件(2)在所述精细级脉冲能量吸收模块(33)和所述射频输出端(13)之间的LC谐振滤波电路构成末级滤波网络(23)；

所述一级滤波网络(21)、所述二级滤波网络(22)和所述末级滤波网络(23)均包括一节LC并联谐振电路(24)，所述LC并联谐振电路(24)位于所述基板(20)的下方和所述金属屏蔽盒体(1)的金属本体(14)内侧底壁之间；所述LC并联谐振电路(24)包括一端电连接于所述射频输入端(12)和所述射频输出端(13)之间串联通路的节点上，另一端接地的并联谐振电感和并联谐振电容。

2.根据权利要求1所述的滤波型强瞬态电磁脉冲防护结构，其特征在于：所述初级高脉冲能量吸收模块(31)，所述次级高脉冲能量吸收模块(32)和所述精细级脉冲能量吸收模块(33)为气体放电管、瞬态电压抑制二极管或半导体PIN二极管中的一种。

3.根据权利要求2所述的滤波型强瞬态电磁脉冲防护结构，其特征在于：所述初级高脉冲能量吸收模块(31)为瞬态电压抑制二极管，所述次级高脉冲能量吸收模块(32)和所述精细级脉冲能量吸收模块(33)为半导体PIN二极管。

4.根据权利要求2所述的滤波型强瞬态电磁脉冲防护结构，其特征在于：所述初级高脉冲能量吸收模块(31)为气体放电管或瞬态电压抑制二极管，所述次级高脉冲能量吸收模块(32)为瞬态电压抑制二极管，所述精细级脉冲能量吸收模块(33)为半导体PIN二极管。

5.根据权利要求1所述的滤波型强瞬态电磁脉冲防护结构，其特征在于：所述射频滤波电路组件(2)中LC谐振滤波电路的数量为7、9或11节，所述LC并联谐振电路(24)的数量至少3节。