[发明专利]利用薄化和切分的半导体器件制造

说明书

公开了利用薄化和切分的半导体器件制造。描述了制造半导体器件的方法。提供半导体衬底。半导体衬底包括半导体衬底层和半导体器件层。方法包括：将半导体器件层的区域转变成可以通过蚀刻移除的切分区域；以及通过使用蚀刻移除半导体衬底层和切分区域。

技术领域

本公开一般涉及制造半导体器件的领域，并且特别是涉及晶片薄化和晶片切分的领域。

背景技术

半导体器件是通过将半导体晶片切分成多个半导体芯片(在本领域中还被称为管芯)来制造的。可以通过各种技术(例如锯切、激光切割或蚀刻)来执行切分。已经知道这些技术在处理时间、边缘损坏风险、半导体材料的损失等方面示出不同的特性。

半导体器件制造的另一方面目的在于提供薄的半导体芯片。考虑到半导体晶片薄化、半导体晶片处置和半导体晶片切分，薄半导体芯片的生产是有挑战性的。进一步地，包含薄半导体芯片的产品的功能和可靠性可能敏感地取决于半导体芯片的总厚度变化(TTV)。因此，在晶片薄化期间的高均匀性应当是可实现的。

发明内容

根据本公开的一方面，描述了一种制造半导体器件的方法。方法包括提供半导体衬底。半导体衬底包括半导体衬底层和半导体器件层。方法进一步包括：将半导体器件层的区域转变成可以通过蚀刻移除的切分区域；以及通过使用蚀刻来移除半导体衬底层和切分区域。

根据本公开的一方面，一种半导体器件包括半导体器件芯片。半导体器件芯片包括半导体器件层，半导体器件层包括集成器件，其中半导体器件层的切分边缘已经被通过掺杂剂选择性化学蚀刻形成。

附图说明

附图中的元素未必相对于彼此成比例。同样的参考标号指明对应的类似部分。各种所图示的实施例的特征可以被组合(除非它们彼此排斥)和/或可以被选择性地省略(如果未被描述为必需要求的话)。在附图中描绘了实施例，并且在下面的描述中示例性地详述了实施例。

图1A是包括半导体衬底层和半导体器件层的示例性半导体衬底的示意性横截面视图。

图1B是在其中半导体器件层的区域被转变成切分区域的制造阶段图1A的示例性半导体衬底的示意性横截面视图。

图1C是通过利用蚀刻移除半导体衬底层和半导体器件层的区域从而从图1B中示出的示例性半导体衬底生成的半导体器件芯片的示意性横截面视图。

图2A是示例性半导体衬底的示意性横截面视图，示例性半导体衬底包括半导体衬底层、半导体器件层以及布置在半导体衬底层和半导体器件层之间的半导体蚀刻停止层。

图2B是在其中半导体器件层的区域和半导体蚀刻停止层的区域被转变成切分区域的制造阶段图2A的示例性半导体衬底的示意性横截面视图。

图2C是通过利用蚀刻移除半导体衬底层和切分区域从而从图2B中示出的示例性半导体衬底生成的半导体器件芯片的示意性横截面视图。

图2D是在从半导体器件芯片移除蚀刻停止层之后图2C的半导体器件芯片的示意性横截面视图。

图3A是示例性半导体衬底的示意性横截面视图，示例性半导体衬底包括半导体衬底层、半导体器件层、布置在半导体衬底层和半导体器件层之间的半导体蚀刻停止层以及布置在半导体蚀刻停止层和半导体器件层之间的半导体接触层。

图3B是在其中半导体器件层的区域、半导体接触层的区域和半导体蚀刻停止层的区域被转变成切分区域的制造阶段图3A的示例性半导体衬底的示意性横截面视图。

图3C是通过利用蚀刻移除半导体衬底层和切分区域从而从图3B中示出的示例性半导体衬底生成的半导体器件芯片的示意性横截面视图。

图3D是在从半导体器件芯片移除蚀刻停止层之后图3C的半导体器件芯片的示意性横截面视图。