[发明专利]利用薄化和切分的半导体器件制造

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，半导体衬底包括：

半导体衬底层，以及

半导体器件层；

将半导体器件层的区域转变成可以通过蚀刻移除的切分区域；以及

通过使用蚀刻移除半导体衬底层和切分区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中进行转变包括：

将掺杂剂沉积到切分区域中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将掺杂剂沉积到切分区域中包括：

通过掺杂剂注入将掺杂剂沉积到切分区域中。

4.根据权利要求2所述的方法，其中将掺杂剂沉积到切分区域中包括：

通过掺杂剂扩散将掺杂剂沉积到切分区域中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中通过掺杂剂扩散将掺杂剂沉积到切分区域中包括：

在每个切分区域中生成一个或多个沟槽；

利用高掺杂的填充物材料填充切分区域的所述一个或多个沟槽；以及

允许高掺杂填充物材料中的掺杂剂扩散到切分区域中。

6.根据权利要求4所述的方法，其中通过掺杂剂扩散将掺杂剂沉积到切分区域中包括：

在每个切分区域的顶部形成高掺杂的掺杂剂供体结构；以及

允许高掺杂的掺杂剂供体结构中的掺杂剂扩散到切分区域中。

7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中半导体衬底层是高掺杂层。

8.根据前述权利要求之一所述的方法，其中蚀刻是掺杂剂选择性化学蚀刻。

9.根据前述权利要求之一所述的方法，其中半导体衬底进一步包括布置在半导体衬底层和半导体器件层之间的半导体蚀刻停止层。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

使半导体蚀刻停止层的区域转变以形成可以通过蚀刻移除的切分区域的一部分。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中半导体蚀刻停止层是低掺杂的半导体层。

12.根据权利要求9至11之一所述的方法，其中半导体衬底进一步包括布置在半导体蚀刻停止层和半导体器件层之间的半导体接触层。

13.根据前述权利要求之一所述的方法，进一步包括：

在半导体器件层之上生成结构化的前侧蚀刻停止层以覆盖切分区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中结构化的前侧蚀刻停止层包括硬钝化电介质材料或聚合物材料或金属。

15.根据前述权利要求之一所述的方法，进一步包括：

处理半导体衬底以在半导体器件层中形成集成器件；并且此后，

将半导体衬底安装在载体上，其中半导体器件层面向载体。

16.根据权利要求15所述的方法，其中处理半导体衬底是在将半导体器件层的区域转变成切分区域之后完成的。

17.根据权利要求15或16所述的方法，其中通过使用蚀刻移除半导体衬底层和切分区域是在将半导体衬底安装在载体上之后完成的。

18.根据前述权利要求之一所述的方法，其中移除半导体衬底层和切分区域包括：

通过研磨来部分地移除半导体衬底层；之后，

通过蚀刻来完全移除剩余的半导体衬底层和切分区域。