[发明专利]静电保护结构及其制备方法

权利要求书

1.一种静电保护结构，其特征在于，包括：

衬底，具有第一导电类型；

埋层，位于所述衬底中，具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

第一深阱，位于所述埋层上表面且浮空设置，具有第一导电类型；

第二深阱，位于所述埋层上表面且部分区域与所述衬底接触，具有第二导电类型，所述第二深阱与所述第一深阱相邻接且位于所述第一深阱外围；

第三深阱，位于所述埋层上且完全与所述衬底接触，具有第一导电类型，所述第三深阱与所述第二深阱相邻接且位于所述第二深阱外围；

其中，所述第一深阱的上表层设有相互隔离且浮空设置的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区均具有第二导电类型，所述第一阱区的上表层设有相互隔离的第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第二阱区的上表层设有相互隔离的第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区、所述第三重掺杂区及所述第四重掺杂区具有第一导电类型，所述第一重掺杂区引出作为第一电极并与静电端口连接，所述第二重掺杂区引出作为第二电极，所述第三重掺杂区引出作为第三电极且与所述第二电极电性连接，所述第四重掺杂区引出作为第四电极；

所述第二深阱的上表层设有第三阱区，所述第三阱区具有第二导电类型，所述第三阱区的上表层设有浮空的第五重掺杂区，所述第五重掺杂区具有第二导电类型；

所述第三深阱的上表层设有第四阱区，所述第四阱区具有第一导电类型，所述第四阱区的上表层设有第六重掺杂区，所述第六重掺杂区具有第一导电类型，所述第六重掺杂区引出并与所述第四电极共接于地。

2.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；当所述静电端口输入静电电压时：

所述第一重掺杂区、所述第一阱区及所述第二重掺杂区共同构成第一PNP晶体管，所述第三重掺杂区、所述第二阱区及所述第四重掺杂区共同构成第二PNP晶体管，且所述第一PNP晶体管和所述第二PNP晶体管相互串联。

3.根据权利要求2所述的静电保护结构，其特征在于，当所述静电电压为正电压时：

所述第一电极作为所述第一PNP晶体管的发射极，所述第二电极作为所述第一PNP晶体管的集电极，所述第一阱区作为所述第一PNP晶体管的基极；

所述第三电极作为所述第二PNP晶体管的发射极，所述第四电极作为所述第二PNP晶体管的集电极，所述第二阱区作为所述第二PNP晶体管的基极。

4.根据权利要求2所述的静电保护结构，其特征在于，当所述静电电压为负电压时：

所述第一电极作为所述第一PNP晶体管的集电极，所述第二电极作为所述第一PNP晶体管的发射极，所述第一阱区作为所述第一PNP晶体管的基极；

所述第三电极为所述第二PNP晶体管的集电极，所述第四电极为所述第二PNP晶体管的发射极，所述第二阱区作为所述第二PNP晶体管的基极。

5.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区、所述第三重掺杂区及所述第四重掺杂区的数量均为至少两个；

其中，多个所述第一重掺杂区之间相互隔离，多个所述第二重掺杂区之间相互隔离，多个所述第三重掺杂区之间相互隔离，多个所述第四重掺杂区之间相互隔离。

6.根据权利要求5所述的静电保护结构，其特征在于，多个所述第一重掺杂区之间电性连接以作为所述第一电极，多个所述第二重掺杂区之间电性连接以作为所述第二电极，多个所述第三重掺杂区之间电性连接以作为所述第三电极，多个所述第四重掺杂区之间电性连接以作为所述第四电极。