[发明专利]存储器装置和包括存储器装置的存储系统

说明书

提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且水平层中的每个包括栅电极；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构，垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层，介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；接触结构，位于垂直结构上；以及导电线，位于接触结构上。

于2020年6月17日在韩国知识产权局提交且名称为“存储器装置和包括存储器装置的系统”的第10-2020-0073654号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及存储器装置和包括该存储器装置的系统。

背景技术

随着对半导体装置的高性能、高速度和/或多功能性的需求提高，存储器装置的集成度增大。为了增大存储器装置的集成度，已经提出了沿竖直方向沉积栅极的方法，而替代在二维平面上沉积栅极。

发明内容

根据示例实施例，存储器装置包括：下结构；堆叠结构，包括沿竖直方向交替地堆叠在下结构上的水平层和层间绝缘层；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构；接触结构，设置在垂直结构上；以及导电线，设置在接触结构上。水平层中的每个包括栅电极，垂直结构包括：核心区；垫图案，包括垫金属图案，位于核心区上；介电结构，包括面对核心区的侧表面的第一部分和面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分；以及沟道层，位于介电结构与核心区之间，并且介电结构包括数据存储层。

根据示例实施例，存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括栅极层和层间绝缘层以及栅极垫，栅极层和层间绝缘层沿竖直方向交替地堆叠，栅极垫从栅极层延伸并布置成台阶形状；第一垂直结构，沿与下结构的上表面垂直的竖直方向穿透堆叠结构；第一接触结构，位于第一垂直结构上；栅极接触结构，位于栅极垫上；外围接触结构，与栅极层间隔开；导电线，位于第一接触结构上；以及栅极连接布线，位于栅极接触结构上。第一接触结构包括：第一下接触插塞，接触第一垂直结构；以及第一上接触插塞，设置在第一下接触插塞上，并且接触第一下接触插塞。第一垂直结构包括：核心区；介电结构，包括数据存储层，位于核心区的侧表面上；垫金属图案，位于核心区上；以及半导体层，面对垫金属图案的侧表面的至少一部分。

根据示例实施例，存储系统包括：存储器装置；以及控制器装置，电连接到存储器装置。存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括栅极层和层间绝缘层以及栅极垫，栅极层和层间绝缘层沿竖直方向交替地堆叠，栅极垫从栅极层延伸并布置成台阶形状；垂直结构，沿与下结构的上表面垂直的竖直方向穿透堆叠结构；第一接触结构，位于垂直结构上；栅极接触结构，位于栅极垫上；第二接触结构，与栅极层和垂直结构间隔开；导电线，位于第一接触结构上；栅极连接布线，位于栅极接触结构上；以及外围连接布线，位于第二接触结构上。第一接触结构包括：第一下接触插塞，接触垂直结构的垫图案；第一上接触插塞，设置在第一下接触插塞上，并且接触第一下接触插塞。垂直结构包括：核心区；介电结构，包括数据存储层，位于核心区的侧表面上；垫金属图案，位于核心区上；以及半导体层，面对垫金属图案的侧表面的至少一部分。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施例，特性对本领域技术人员而言将变得清楚，在附图中：

图1是根据示例实施例的包括存储器装置的系统的示意图；

图2A和图2B是示出根据示例实施例的存储器装置的剖视图；

图2C和图3是图2B的局部放大剖视图；

图4是图3的局部放大剖视图；

图5是示出根据示例实施例的存储器装置的一部分的平面图；

图6是示出根据示例实施例的存储器装置的修改示例的局部放大剖视图；