[发明专利]存储器装置和包括存储器装置的存储系统

权利要求书

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

下结构；

堆叠结构，位于所述下结构上，所述堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且所述水平层中的每个包括栅电极；

垂直结构，沿所述竖直方向穿透所述堆叠结构，所述垂直结构包括：核心区；垫图案，包括垫金属图案，位于所述核心区上；介电结构，包括面对所述核心区的侧表面的第一部分、面对所述垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；以及沟道层，位于所述介电结构与所述核心区之间；

接触结构，位于所述垂直结构上；以及

导电线，位于所述接触结构上。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述沟道层在所述介电结构的所述第二部分与所述垫金属图案的所述侧表面之间以及在所述介电结构的所述第一部分与所述核心区之间延伸。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述垫图案还包括：

垫阻挡层，与所述垫金属图案的所述侧表面和所述垫金属图案的底表面接触；以及

垫金属半导体化合物层，与所述垫阻挡层接触，所述垫阻挡层的至少一部分位于所述垫金属半导体化合物层与所述垫金属图案之间。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述垫图案还包括第一垫金属层，所述第一垫金属层位于所述垫阻挡层与所述核心区之间，所述垫金属半导体化合物层位于所述沟道层与所述垫阻挡层之间。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述垫图案还包括垫半导体层，所述垫半导体层位于所述垫金属图案与所述核心区之间并延伸到所述垫金属图案的所述侧表面上。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述垫图案还包括：

垫阻挡层，覆盖所述垫金属图案的所述侧表面和所述垫金属图案的底表面；以及

垫金属半导体化合物层，位于所述垫阻挡层与所述垫半导体层之间。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述垫金属图案包括：

第一宽度部分，具有第一宽度；以及

第二宽度部分，具有比所述第一宽度大的第二宽度，并且

其中，所述沟道层的上表面与所述垫图案接触。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述数据存储层的上表面与所述垫图案接触。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述垫金属图案还包括在所述第一宽度部分与所述第二宽度部分之间的具有第三宽度的第三宽度部分，所述第三宽度比所述第一宽度大且比所述第二宽度小。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的存储器装置，其中，所述接触结构包括：

下接触插塞，与所述垫图案接触，所述下接触插塞包括：下插塞图案；以及下阻挡层，覆盖所述下插塞图案的侧表面和底表面；以及

上接触插塞，位于所述下接触插塞上并且接触所述下接触插塞，所述上接触插塞包括：上插塞图案；以及上阻挡层，覆盖所述上插塞图案的侧表面和底表面。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述下接触插塞还包括下金属层，所述下金属层覆盖所述下阻挡层的底表面和外侧表面。