[发明专利]集成电路结构与集成电路只读记忆体结构的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：

一第一晶体管，包括一第一栅极电极、一第一源极、该第一源极上的一第一源极导线、一第一漏极、与该第一漏极上的一第一漏极导线；

一第二晶体管，包括一第二栅极电极、一第二漏极、该第一源极、与该第二漏极上的一第二漏极导线；

一位元线，用以将该第一漏极导线电性连接至该第二漏极导线；及

一第一沟槽隔离结构，介于该第一源极与该第二漏极之间，且用以电性隔离该第一源极与该第二漏极。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，其中该第一栅极电极与该第二栅极电极相隔一个栅极电极分离间隔。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，其中该第一漏极与该第二漏极相隔两个导线分离间隔。

4.一种集成电路结构，其特征在于，包括：

一第一漏极接触；

一漏极导线，连接至该第一漏极接触；

一第一晶体管，包括：

一第一栅极电极；

一第一栅极电极接触；

一第一源极；

一第一源极导线，电性连接至该第一源极；

一第一源极接触，电性连接至该第一源极导线；

一第一漏极，电性连接至该漏极导线；及

一电源轨，电性连接至该第一源极接触与一第一栅极电极外连式接触，其中该第一栅极电极外连式接触用以将该电源轨电性连接至该第一栅极电极；及

一第二晶体管，包括：

一第二栅极电极；

一第二栅极电极接触，连接至该第二栅极电极；

一第二源极；

一第二源极导线，连接至该第二源极；

一第二源极接触，连接至该第二源极与该电源轨；及

一第二漏极，电性连接至该漏极导线。

5.如权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，还包括一第二栅极电极外连式接触，其电性连接至该第二栅极电极与该电源轨。

6.如权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，其中该第一栅极电极与该第二栅极电极相隔一个第一栅极电极分离间隔，其中该第一源极导线与该第二源极导线相隔两个导线间隔。

7.一种集成电路只读记忆体结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成一只读记忆体晶体管，其中形成该只读记忆体晶体管包括：

布植具有一通道、一源极区域与一漏极区域的一主动区；

于该通道上沉积一栅极电极；

于该源极区域与该漏极区域的至少一者上沉积一导线；

将多个掺杂物加入至该主动区的该源极区域与该漏极区域；

形成抵靠该栅极电极、该源极区域与该漏极区域的多个接触；

沉积抵靠该些接触的一集成电路的一电源轨、一位元线与至少一字元线；及

用一沟槽隔离结构划分该主动区以使该栅极电极与该源极区域及该漏极区域电性隔离。

8.如权利要求7所述的集成电路只读记忆体结构的制造方法，其特征在于，其中用该沟槽隔离结构划分该主动区以使该栅极电极与该源极区域及该漏极区域电性隔离还包括：

于至少一栅极电极上沉积一图案化材料层；

显影该图案化材料层以穿过该图案化材料层中的一开口暴露该至少一栅极电极；

穿过该栅极电极蚀刻该开口以暴露该通道；及

以一介电材料填充该开口。

9.如权利要求7所述的集成电路只读记忆体结构的制造方法，其特征在于，其中配置该只读记忆体晶体管还包括：形成一栅极电极外连式接触，其用以将该栅极电极电性连接至该电源轨；其中形成该栅极电极外连式接触是发生于形成抵靠该栅极电极、该源极区域与该漏极区域的该些接触的期间。

10.如权利要求7所述的集成电路只读记忆体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

于该导线与该栅极电极上沉积一层间介电质；

穿过该层间介电质蚀刻一第一开口以暴露一第一源极接触；

穿过该层间介电质蚀刻一第二开口以暴露一第一漏极接触；

穿过该层间介电质蚀刻一第三开口以暴露一栅极电极接触；

穿过该层间介电质填充该第一开口以制造该电源轨；

填充该第二开口以形成该位元线；及

填充该第三开口以形成该字元线。