[发明专利]用于双脉冲编程的系统和方法

说明书

本发明公开了一种非易失性存储器装置，其包括被配置成将第一编程电压施加到选定字线的控制电路，其中禁止用所述第一编程电压来编程对应于数据状态的第一集合的所述选定字线的存储器单元的第一子集，且其中所述第一编程电压被施加到对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集。所述控制电路被进一步配置成使所述选定字线的第一电压放电到对应于第二编程电压的第二电压电平，使得所述第二编程电压被施加到存储器单元的至少所述第一子集。所述控制电路被进一步配置成执行验证操作以验证存储器单元的所述第一子集和存储器单元的所述第二子集是否已完成编程。本发明还公开了一种编程非易失性存储器的存储器单元的方法。

技术领域

本发明技术涉及存储器装置的操作。

背景技术

通常将存储器装置提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许 多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存 取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器等。在EEPROM或快闪NAND阵列架构中，存储器单元可布 置成行和列的矩阵，使得每个存储器单元的栅极通过行耦合到字线。存储器单元可成串 布置在一起，使得给定串中的存储器单元在共同源极线与共同位线之间从源极到漏极串 联耦合在一起。

发明内容

本公开的一个方面涉及一种非易失性存储器，其包括用于执行编程和验证操作以编 程非易失性存储器的存储器单元阵列的控制电路。控制电路在执行编程和验证操作的反 复时可被配置成将第一编程电压施加到选定字线。选定字线可包含对应于数据状态的第 一集合的存储器单元的第一子集和对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集。可禁止用第一编程电压来编程存储器单元的第一子集的相应存储器单元。第一编程 电压可被施加到对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集。控制电路可被进 一步配置成使选定字线的对应于第一编程电压的第一电压电平放电到对应于第二编程 电压的第二电压电平，使得第二编程电压被施加到存储器单元的至少第一子集。控制电 路可被进一步配置成执行编程和验证操作的验证部分，以验证存储器单元的第一子集和 存储器单元的第二子集是否已完成编程。

本公开的另一方面涉及一种编程非易失性存储器的存储器单元的方法。所述方法包 含作为编程和验证操作的反复的部分，将第一编程电压施加到选定字线。选定字线可包含对应于数据状态的第一集合的存储器单元的第一子集和对应于数据状态的第二集合 的存储器单元的第二子集。可禁止用第一编程电压来编程存储器单元的第一子集的相应 存储器单元。第一编程电压可被施加到对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二 子集。所述方法进一步包含使选定字线的对应于第一编程电压的第一电压电平放电到对 应于第二编程电压的第二电压电平，使得第二编程电压被施加到存储器单元的至少第一 子集。所述方法进一步包含作为编程和验证操作的反复的部分，执行验证操作以验证存 储器单元的第一子集和存储器单元的第二子集是否已完成编程。

本公开的又一方面涉及一种包括用于编程存储器单元的控制电路的存储器装置。存 储器单元可为非易失性存储器的存储器单元阵列的部分。控制电路可被配置成将第一编 程电压施加到选定字线。选定字线可包含对应于数据状态的第一集合的存储器单元的第 一子集和对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集。可禁止用第一编程电压 来编程存储器单元的第一子集的相应存储器单元。第一编程电压可被施加到对应于数据 状态的第二集合的存储器单元的第二子集。控制电路可被进一步配置成使选定字线的对 应于第一编程电压的第一电压电平放电到对应于第二编程电压的第二电压电平，使得第 二编程电压被施加到存储器单元的至少第一子集。控制电路可被进一步配置成执行编程 和验证操作的验证部分，以验证存储器单元的第一子集和存储器单元的第二子集是否已 完成编程。

附图说明

并入于本说明书中且构成本说明书的部分的附图说明本公开的各种方面，且连同描 述一起用以解释其原理。在方便的情况下，将在整个图式中使用相同附图标记来指代相同或相似元件。

图1A说明实例存储器装置的框图。